半導(dǎo)體封測迎來春天，如何把握投資機會？

一個新的熱點誕生:砷化鎵概念。

用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫效能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點。

在光通訊、無線微波射頻等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

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砷化鎵,化學(xué)式 GaAs。

黑灰色固體,熔點1238°C。

在600°C以下,能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。

砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。

屬III-V族化合物半導(dǎo)體。

屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)。

砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數(shù)量級以上的半絕緣高阻材料,用來制作積體電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。

由于其電子遷移率比硅大5~6倍,故在制作微波器件和高速數(shù)位電路方面得到重要應(yīng)用。

用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫效能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點。

在光通訊、無線微波射頻等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

根據(jù)中中國產(chǎn)業(yè)資訊網(wǎng)資料,砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物半導(dǎo)體2020年的市場規(guī)模將達440億美元,2016年至2020年復(fù)合年增率達12.9%,增速大幅超過整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

1、海特高新(002023) ,砷化鎵光電器件已經(jīng)規(guī)模量產(chǎn),已具備5G氮化鎵基站晶片研發(fā)和制造能力。

2、云南鍺業(yè)(002428),成功投產(chǎn)2-6英寸半導(dǎo)體級以及半絕緣體砷化鎵晶體和襯底,目前砷化鎵單晶片產(chǎn)能為80萬片/年。

3、三安光電(600703),旗下三安整合已經(jīng)建成國內(nèi)第一條6英寸砷化鎵、氮化鎵外延晶片產(chǎn)線并投入量產(chǎn)。