ECC內(nèi)存

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常見內(nèi)存芯片命名

2010-06-0821:13:23|分類：個(gè)人日記|標(biāo)簽：|字號(hào)大中小訂閱

三星〔Samsung〕內(nèi)存

具體含義解釋：

例：SAMSUNG

K4S283232E-TC60SDRAM

K4H280838B-TCB0DDR

K4T51163QE-HCE6DDR2

K4B1G164E-HCE7DDR3

主要含義：

第1位——芯片功能K，代表是內(nèi)存芯片。

第2位——芯片類型4，代表DRAM。9代表NANDFLASH

第3位——芯片的更進(jìn)一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、T代表

DDR2、B代表DDR3、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內(nèi)存采用不同的刷新速率，也會(huì)使

用不同的編號(hào)。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A

代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit

的容量。

第6、7位——數(shù)據(jù)線引腳個(gè)數(shù)，08代表8位數(shù)據(jù)；16代表16位數(shù)據(jù)；32代表

32位數(shù)據(jù)；64代表64位數(shù)據(jù)。

第11位——連線“-〞。

第14、15位——芯片的速率，如60為6ns；70為7ns；7B為7.5ns(CL=3)；7C

為7.5ns(CL=2)；80為8ns；10為10ns(66MHz)。

知道了內(nèi)存顆粒編碼主要數(shù)位的含義，拿到一個(gè)內(nèi)存條后就非常容易計(jì)算出它的

容量。例如一條三星DDR內(nèi)存，使用18片SAMSUNGK4H280838B-TCB0顆粒

封裝。顆粒編號(hào)第4、5位“28〞代表該顆粒是128Mbits，第6、7位“08〞代表該

顆粒是8位數(shù)據(jù)帶寬，這樣我們可以計(jì)算出該內(nèi)存條的容量是128Mbits〔兆數(shù)位〕

×16片/8bits=256MB〔兆字節(jié)〕。

注：“bit〞為“數(shù)位〞，“B〞即字節(jié)“byte〞，一個(gè)字節(jié)為8位那么計(jì)算時(shí)除以8。

關(guān)于內(nèi)存容量的計(jì)算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內(nèi)存，每

8片8位數(shù)據(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)存；另一種ECC內(nèi)存，在每64位數(shù)

據(jù)之后，還增加了8位的ECC校驗(yàn)碼。通過校驗(yàn)碼，可以檢測出內(nèi)存數(shù)據(jù)中的

兩位錯(cuò)誤，糾正一位錯(cuò)誤。所以在實(shí)際計(jì)算容量的過程中，不計(jì)算校驗(yàn)位，具有

ECC功能的18片顆粒的內(nèi)存條實(shí)際容量按16乘。在購置時(shí)也可以據(jù)此判定18

片或者9片內(nèi)存顆粒貼片的內(nèi)存條是ECC內(nèi)存。

Hynix(Hyundai)現(xiàn)代

現(xiàn)代內(nèi)存的含義：

HY57V281620FTP-HH57V2562GTR-75C(新版〕SDRAM

HY5DV641622AT-36H5DU5162ETP-E3CDDR

HYXXXXXXXXXXXXXXXX

HY5PS121621BFP-C4H5PS5162FFR-25CDDR2

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HY5TQ1G163ZNFP-G8H5TQ1G163BFR-12CDDR3

1、HY代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品

2、內(nèi)存芯片類型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM，

5P=DDR2SDRAM,5T=DDR3SDRAM)；27=NANDFLASH

3、工作電壓：空白=5V，Q=1.8V

4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64=64Mbits、8KRef；

65=64Mbits、4KRef；128=128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；256=256Mbits、

16KRef；257=256Mbits、8KRef

5、代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位

和32位

6、BANK數(shù)量：1、2、3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)Bank，是2的冪次關(guān)

系

7、I/O界面：1:SSTL_3、2:SSTL_2

8、芯片內(nèi)核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越

新

9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片

10、內(nèi)存芯片封裝形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-Ⅱ，

TD=13mmTSOP-Ⅱ，TG=16mmTSOP-Ⅱ

11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、

33:300NHZ、L:DDR200、H:DDR266B、K:DDR266A

現(xiàn)代的mBGA封裝的顆粒

Micron〔美光〕

以MT48LC16M8A2TG-75這個(gè)編號(hào)來說明美光內(nèi)存的編碼規(guī)那么。

含義：

MT——Micron的廠商名稱。

48——內(nèi)存的類型。48代表SDRAM；46代表DDR。47=DDR2

LC——供電電壓。LC代表3V；C代表5V；V代表。

16M8——內(nèi)存顆粒容量為128Mbits，計(jì)算方法是：16M〔地址〕×8位數(shù)據(jù)寬度。

A2——內(nèi)存內(nèi)核版本號(hào)。

TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。

-75——內(nèi)存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

實(shí)例：一條MicronDDR內(nèi)存條，采用18片編號(hào)為MT46V32M4-75的顆粒制造。

該內(nèi)存支持ECC功能。所以每個(gè)Bank是奇數(shù)片內(nèi)存顆粒。

其容量計(jì)算為：容量32M×4bit×16片/8=256MB〔兆字節(jié)〕。

Infineon〔英飛凌〕

Infineon是德國西門子的一個(gè)分公司，目前國內(nèi)市場上西門子的子公司Infineon

生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆

粒。編號(hào)中詳細(xì)列出了其內(nèi)存的容量、數(shù)據(jù)寬度。Infineon的內(nèi)存隊(duì)列組織管理

模式都是每個(gè)顆粒由4個(gè)Bank組成。所以其內(nèi)存顆粒型號(hào)比擬少，區(qū)分也是最

容易的。

HYB39S128400即128MB/4bits，“128〞標(biāo)識(shí)的是該顆粒的容量，后三位標(biāo)識(shí)的

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是該內(nèi)存數(shù)據(jù)寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；

HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon內(nèi)存顆粒工作速率的表示方法是在其型號(hào)最后加一短線，然后標(biāo)上工作

速率。

-7.5——表示該內(nèi)存的工作頻率是133MHz；

-8——表示該內(nèi)存的工作頻率是100MHz。

例如：

1條Kingston的內(nèi)存條，采用16片Infineon的的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計(jì)算為：

128Mbits〔兆數(shù)位〕×16片/8=256MB〔兆字節(jié)〕。

1條Ramaxel的內(nèi)存條，采用8片Infineon的的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計(jì)算為：

128Mbits〔兆數(shù)位〕×8片/8=128MB〔兆字節(jié)〕。

KINGMAX、kti

KINGMAX內(nèi)存的說明

Kingmax內(nèi)存都是采用TinyBGA封裝〔Tinyballgridarray〕。并且該封裝模式是

專利產(chǎn)品，所以我們看到采用Kingmax顆粒制作的內(nèi)存條全是該廠自己生產(chǎn)。

Kingmax內(nèi)存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列

的內(nèi)存顆粒型號(hào)列表出來。

容量備注：

KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間×4位數(shù)據(jù)寬度；

KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間×8位數(shù)據(jù)寬度；

KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間×4位數(shù)據(jù)寬度；

KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間×8位數(shù)據(jù)寬度；

KSV864T4XXX——128Mbits，8M地址空間×16位數(shù)據(jù)寬度。

Kingmax內(nèi)存的工作速率有四種狀態(tài)，是在型號(hào)后用短線符號(hào)隔開標(biāo)識(shí)內(nèi)存的工

作速率：

-7A——PC133/CL=2；

-7——PC133/CL=3；

-8A——PC100/CL=2；

-8——PC100/CL=3。

例如一條Kingmax內(nèi)存條，采用16片KSV884T4A0A-7A的內(nèi)存顆粒制造，其

容量計(jì)算為：64Mbits〔兆數(shù)位〕×16片/8=128MB〔兆字節(jié)〕。

Winbond〔華邦〕

含義說明：

WXXXXXXXX

12345

1、W代表內(nèi)存顆粒是由Winbond生產(chǎn)

2、代表顯存類型：98為SDRAM，94為DDRRAM

3、代表顆粒的版本號(hào)：常見的版本號(hào)為B和H；

4、代表封裝，H為TSOP封裝，B為BGA封裝，D為LQFP封裝

5、工作頻率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：、133MHz；Y：、

150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZ

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Mol〔臺(tái)灣茂矽〕

臺(tái)灣茂矽科技是臺(tái)灣一家較大的內(nèi)存芯片廠商，對(duì)大陸供貨不多，因此我們熟悉

度不夠。這顆粒編號(hào)為V54C365164VDT45，從編號(hào)的6、7為65表示單顆粒為

64/8＝8MB，從編號(hào)的8、9位16可知單顆粒位寬16bit，從編號(hào)的最后3位T45

可知顆粒速度為4.5ns

NANYA〔南亞〕、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR

南亞科技是全球第六大內(nèi)存芯片廠商，也是去年臺(tái)灣內(nèi)存芯片商中唯一盈利的公

司，它在全球排名第五位。這顆顯存編號(hào)為NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字

母“S〞表示是SDRAM顯存，6、7位8M表示單顆粒容量8M，8、9位16表示

單顆粒位寬16bit，-7K表示速度為7ns。

主要含義：

NT5TU256T8BU25C

1234567

1：NANYATECHNOLOGY

2:ProductFamily

5S=SDRAM、5D=DDRSDRAM5T=DDR2SDRAM5C=DDR3

SDRAM

3:Interface&Power(vdd&vddg)

V=LVTTL(3.3V-3.3V)

E=LVTTL(2.5V-2.5V)S=SSTL-2(2.5V-2.5V)M=LVTTL(1.8V-1.8V)

U=SSTL-18(1.5V-1.5V)B=SSTL-15(1.5V-1.5V)A=SSTL-18(2.0V-2.0V)

4:Organization()

M=MONOT=DDP

256MB=64M4=32M8=16M16

512MB=128M4=64M8=32M16

1GB=256M4=128M8=64M16

2GB=512T4=256T8

5:DEVICEVERSION

A=1stversionB=2ndversionC=3rdD=4tnF=5tn

6:PACKAGECODE

Green+HalogenFree

S=TSOPIIG=DDR1BGA/DDR284-BALLBGAE=60-BALLBGAT

=68-BALLBGA

M=92U=71Y=63N=78P=96T=SDR54-pinTSOPII/DDR

66pinTSSOPII

7:Speed

SDRAM

75B=PC-133-3-3-36K=PC-166-3-3-3

DDR2SDRAM

75B=DDR2666K=DDR3335T=DDR400

DDR2SDRAM

5A=DDR2-400-3-3-337B=DDR2-533-4-4-43C=DDR2-677-4-4-4

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25C/AC=DDR2-800-5-5-525D/AD=DDR2-800-6-6-6BE=DDR2

1066-7-7-7

DDR3SDRAM

AC=DDR3-800-5-5-5AD=DDR3-800-6-6-6BE=DDR3-800-7-7-7BF=

DDR3-1066-8-8-8

CF=DDR3-1033-8-8-8CG=DDR3-1033-9-9-0