2023年12月13日發(作者：幼兒園教師演講稿)
ingaas吸收光譜
InGaAs（Indium Gallium Arnide）是一種半導體材料，具有寬的帶隙范圍和高的光吸收能力，特別適合在近紅外波段進行光學應用。
InGaAs的吸收光譜通常在1.0到1.7微米范圍內，這些波長對應于近紅外光譜范圍。在這個范圍內，InGaAs表現出很高的光吸收率，并且對輻射的敏感度很高。
光譜的形狀和強度取決于InGaAs的具體成分，即其中Indium和Gallium的比例。通過調節成分比例，可以調整InGaAs的吸收波長范圍。例如，在較低Indium含量時，InGaAs的吸收波長偏向較短波長，而在較高Indium含量時，吸收波長則偏向較長波長。
由于InGaAs的吸收范圍與近紅外光譜范圍相匹配，并且它對近紅外光具有很高的吸收率，因此它在很多應用中被廣泛使用，包括激光器、光電探測器、光纖通信和生物醫學成像等領域。
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