InGaAs光纖探測器封裝及耦合效率影響因素研究

2023年12月13日發(作者：保證書)

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文章編號：１６７２—８７８５（２０１２）０３—００１７－０５　ＩｎＧａＡｓ光纖探測器封裝及耦合效率　影響因素研究　莫德鋒１，２　劉大?！?，。　徐勤飛　，２　吳家榮１，２　（１．中國科學院上海技術物理研究所傳感技術國家重點實驗室，上海２０００８３；?。玻袊茖W院上海技術物理研究所紅外成像材料和器件重點實驗室，上海２０００８３）　摘　要：設計了ＩｎＧａＡｓ探測器芯片與多模石英光纖的耦合結構，測試了芯片耦合前后　的性能變化，并分析了影響耦合效率的因素。結果表明，石英光纖與ＩｎＧａＡｓ探測器芯　片可以較好地耦合。在０．９—１．７　波段，當采用與芯片尺徑相當的１００　光纖進行　無透鏡直接耦合時，耦合效率可達３０％以上；當采用芯徑為５００　的光纖耦合時，耦　合效率可達５５％以上。多模石英光纖出射端的光強呈高斯分布。隨著光纖端面與芯片　表面的間距偏差的增加，高斯分布曲線的半寬值增大，光束逐漸發散。芯片與光纖的對　準偏差對耦合效率的影響很大，其中對橫向偏移量的依賴性最強　關鍵詞：ＩｎＧａＡｓ探測器；光纖耦合；耦合效率　中圖分類號；ＴＮ２１５；ＴＮ２５３文獻標識碼：Ａ?。模希桑海保埃常梗叮梗辏椋螅螅睿保叮罚病福罚福担玻埃保玻埃常埃埃础。樱簦酰洌。铮妗。茫铮酰穑欤椋睿纭。疲幔悖簦铮颉。幔睿洹。校幔悖耄幔纾濉。樱簦颍酰悖簦酰颍濉。铮妗。桑睿牵幔粒蟆。希穑簦椋悖幔臁。模澹簦澹悖簦铮颉。停稀。模濉妫澹睿纭?，。ＬＩＵ?。模帷妫酢。?，２?。兀铡。眩椋睢妫澹椤。?。．ＷＵ?。剩椋帷颍铮睿纭。保病。妫保樱簦幔簦濉。耍澹。蹋幔猓铮颍幔簦铮颍。铮妗。裕颍幔睿螅洌酰悖澹颉。裕澹悖瑁睿铮欤铮纾樱瑁幔睿纾瑁幔椤。桑睿螅簦椋簦酰簦濉。铮妗。裕澹悖瑁睿椋悖幔臁。校瑁螅椋悖螅。茫瑁椋睿澹螅濉。粒悖幔洌澹恚。铮妗。樱悖椋澹睿悖澹?，Ｓｈａｎｇｈａｉ　２０００８３，Ｃｈｉｎａ；?。玻耍澹。蹋幔猓铮颍幔簦铮颍。铮妗。桑睿妫颍幔颍澹洹。桑恚幔纾椋睿纭。停幔簦澹颍椋幔欤蟆。幔睿洹。模澹觯椋悖澹螅樱瑁幔睿纾瑁幔椤。桑睿螅簦椋簦酰簦濉。铮妗。裕澹悖瑁睿椋悖幔臁。校瑁螅椋悖蟆。茫瑁椋睿澹螅濉。粒悖幔洌澹恚。铮妗。樱悖椋澹睿悖澹?，Ｓｈａｎｇｈａｉ?。玻埃埃埃福?，Ｃｈｉｎａｊ　Ａｂｓｔｒａｃｔ：　Ａ?。恚酰欤簦椋恚铮洌濉。螅椋欤椋悖帷。妫椋猓澹颉。悖铮酰穑欤澹洹。桑睿牵幔粒蟆。洌澹簦澹悖簦铮颉。鳎幔蟆。洌澹螅椋纾睿澹洌裕瑁濉。穑澹颍妫铮颍恚幔睿悖濉。铮妗。簦瑁濉。悖瑁椋稹。祝幔蟆。恚澹幔螅酰颍澹洹。猓澹妫铮颍濉。幔睿洹。幔妫簦澹颉。椋簦蟆。悖铮酰穑欤椋睿纾裕瑁濉。妫幔悖簦铮颍蟆。鳎瑁椋悖琛。瑁幔洹。椋睿妫欤酰澹睿悖澹蟆。铮睢。椋簦蟆。悖铮酰穑欤椋睿纭。澹妫椋悖椋妫澹睿悖。鳎澹颍濉。幔睿幔欤澹洌裕瑁濉。颍澹螅酰欤簟。螅瑁铮鳎澹洹。簦瑁幔簟。簦瑁濉。螅椋欤椋悖帷。鳎幔蟆。螅酰椋簦幔猓欤濉。簦铩。猓濉。悖铮酰穑欤澹洹。鳎椋簦琛。簦瑁濉。桑睿牵幔粒蟆。悖瑁椋穑桑睢。簦瑁濉。鳎幔觯澹猓幔睿洹。妫颍铮怼。埃埂。睢。簦铩。保贰。?，ｔｈｅ　ｍａｘｉｍｕｍ　ｃｏｕｐｌｉｎｇ?。澹妫椋悖椋妫澹睿悖。悖铮酰欤洹。猓濉。纾颍澹幔簦澹颉。簦瑁幔睢。常埃ィ鳎瑁澹睢。幔睢。铮穑簦椋悖幔臁。妫椋猓澹颉。鳎椋簦琛。帷。洌椋幔恚澹簦澹颉。铮妗。保埃啊。酰怼。鳎幔蟆。酰螅澹洌祝瑁澹睢。幔睢。铮穑簦椋悖幔臁。妫椋猓澹颉。鳎椋簦琛。帷。洌椋幔恚澹簦澹颉。铮妗。担埃啊。欤椋怼。祝幔蟆。酰螅澹洌簦瑁濉。恚幔椋恚酰怼。悖铮酰穑欤椋睿纭。澹妫椋悖椋妫澹睿悖。悖铮酰欤洹。猓濉。纾颍澹幔簦澹颉。簦瑁幔睢。担担ィ裕瑁濉。欤椋纾瑁簟。椋睿簦澹睿螅椋簦。澹瑁椋猓椋簦澹洹。牵幔酰螅螅椋幔睢。洌椋螅簦颍椋猓酰簦椋铮睢。幔簟。簦瑁濉。澹椋簟。澹睿洹。铮妗。簦瑁濉。恚酰欤簦椤恚铮洌濉。螅椋欤椋悖帷。铮穑簦椋悖幔臁。妫椋猓澹颍祝椋簦琛。簦瑁濉。椋睿悖颍澹幔螅濉。铮妗。簦瑁濉。洌椋螅簦幔睿悖濉。猓澹簦鳎澹澹睢。簦瑁濉。澹睿洹。妫幔悖濉。铮妗。簦瑁濉。妫椋猓澹颉。幔睿洹。簦瑁濉。悖瑁椋稹。螅酰颍妫幔悖?，ｔｈｅ?。瑁幔欤妫鳎椋洌簦琛。觯幔欤酰濉。铮妗。簦瑁濉。牵幔酰螅螅椋幔睢。洌椋螅簦颍椋猓酰簦椋铮睢。悖酰颍觯濉。鳎幔蟆。椋睿悖颍澹幔螅澹洹。幔睿洹。簦瑁濉。欤椋纾瑁簟。猓澹幔怼。纾颍幔洌酰幔欤欤。洌椋觯澹颍纾澹洌裕瑁濉。簦颍幔睿螅觯澹颍螅濉。铮妫妫螅澹簟。幔睿洹。欤铮睿纾椋簦酰洌椋睿幔臁。洌椋螅悖颍澹穑幔睿悖。猓澹簦鳎澹澹睢。簦瑁濉。悖瑁椋稹。幔睿洹。簦瑁濉。妫椋猓澹颉。澹睿洹。瑁幔洹。帷。纾颍澹幔簟。椋睿妫欤酰澹睿悖濉。铮睢。簦瑁濉。悖铮酰穑欤椋睿纭。澹妫椋悖椋妫澹睿悖幔睿洹。簦瑁濉。簦颍幔睿螅觯澹颍螅濉。铮妫妫螅澹簟。鳎幔蟆。帷。恚铮颍濉。螅椋纾睿椋椋妫悖幔睿簟。椋睿妫欤酰澹睿悖濉。妫幔悖簦铮颍。耍澹。鳎铮颍洌螅海桑睿牵幔粒蟆。洌澹簦澹悖簦铮?；ｆｉｂｅｒ　ｃｏｕｐｌｉｎｇ；ｃｏｕｐｌｉｎｇ?。澹妫椋悖椋澹睿悖。媸崭迦掌冢海玻埃保玻埃薄保础』痦椖浚褐袊茖W院上海技術物理研究所創新專項　作者簡介：莫德鋒（１９８２一），男，浙江桐鄉人，博士，主要從事可靠性設計和封裝工作。Ｅ—ｍａｉｌ：ｍｏｄｅｆｅｎｇ＠１６３．ｃｏｍ?。瑁簦簦穑海В辏铮酰颍睿幔保螅椋簦穑幔悖悖睿瑁鳌。桑危疲遥粒遥牛模ǎ停希危裕龋蹋伲郑希蹋常?，Ｎｏ．３，ＭＡＲ?。玻埃保病。耙浴‰S著航空航天事業的不斷發展，我國每年　都要進行十幾次衛星和航天器發射，而且每顆　衛星上的集成度也越來越高，一般需要集成幾種　或幾十種載荷。但傳統光窗式探測器對安裝位　置和衛星姿態等方面具有嚴格的要求，而且其　光路復雜，限制了其集成度的進一步提高。光纖　耦合型探測器則可解決這一問題，它具有重量　輕、光路可彎曲以及安裝靈活等優點，已在半導　體、醫療等領域得到了廣泛的應用　］。光纖與　芯片之間的對準方法主要有兩大類［０】：一類是　有源對準，即在有光信號的情況下進行光纖的實　時對準（使芯片接收信號后輸出電壓或電流值，　然后當輸出值達到最大時固定光纖位置，這種　方法的耦合效率較高）；另一類是無源對準，即　在無光信號的情況下進行封裝時，只通過對準　標記或者限位槽來完成對準耦合［　。按耦合方　式劃分，對準方法也可以分為直接耦合和間接　耦合兩種。在直接耦合時，中間沒有聚焦透鏡等　元件，結構簡單且規模不受限制，而間接耦合則　通常是采用透鏡＋平面光纖的方式來提高耦合　效率的。本文選用在空間遙感和半導體等領域有　著重要應用、探測波段為０．９＾一１．７　的ＩｎＧａＡｓ　芯片和多模石英光纖進行研究，設計ＩｎＧａＡｓ芯　片與光纖直接耦合的封裝結構，采用有源耦合　的方式，并探討影響耦合效率的因素?！。痹囼灧椒ā√綔y器芯片采用中國科學院上海技術物理　研究所研制的單元光伏型ＩｎＧａＡｓ芯片，光敏元　的尺寸為１００　×１００　ｐ．ｍ，在０．９—１．７　波段　具有較高的探測率和響應率。與之相耦合的光　纖采用石英光纖，其直徑分１００　和５００　兩　種　光纖的數值孔徑為０．２２，長度為１?。?，兩端　均為ＦＣ接口?！榱说玫奖容^高的耦合效率，我們采用有　源對準的耦合方式，并自行搭建了光纖耦合封　裝調整系統（見圖１）。在耦合過程中，將帶尾纖　的封帽固定在支架上，并將帶芯片的管殼底座?。桑危疲遥粒遥牛模ǎ停希危裕龋蹋伲А。郑希蹋常?，Ｎｏ．３，ＭＡＲ　２０１２　固定在六軸調整架平臺上。然后在芯片兩電極　上施加一０．１　Ｖ電壓，并通過傾角調節旋鈕使芯片　面和光纖端面保持平行狀態。光纖的一端連接　輻射源（功率為１　ｗ，波長為１６６０　ｎｍ），另一端　面向芯片。芯片接收到輻射信號后會產生光偏　電流。先后微調六軸調整架上的ｘ軸、Ｙ軸和?。S的位置（三個方向的定義見圖１）。當檢測到　的電流信號達到最大值時，通過紫外固化膠瞬　間完成管座與蓋板的初步固定，最后用螺絲進　行固定，制成光纖耦合式探測器組件?！≡跍y試組件性能時沒有外加偏壓。光源選　用ＨＦＹ－２００Ｂ型黑體光源，輻射孔徑為８?。恚?，　調制頻率為８００　Ｈｚ，測試距離為１５?。幔怼Ｈサ敉狻〖与妷汉?，芯片的光伏效應便在芯片的兩端產　生開路電壓或短路電流（通過相應的放大器和示　波器等檢測設備記錄信號值）。分別測試了無光　纖和光纖耦合后探測器的響應率、探測率和噪　聲。將光纖與芯片的耦合效率定義為帶光纖探測　器與無光纖探測器之間的黑體探測率的比值?！D１光纖耦合封裝的示意圖?。补庾V特征與耦合效率　圖２所示為光纖與探測器的光譜特性。其　中，曲線１為ＩｎＧａＡｓ芯片的光譜響應?？梢钥础〕觯桑睿牵幔粒蟮捻憫獏^間為０．８—１．８　ｍ，其中峰　值響應波長為１．６１　。曲線２為石英光纖的光　譜響應。在ＩｎＧａＡｓ的響應區間內，隨著波長的增　加，紅外光的透過率緩慢增加。特別是當波長在?。保病保浮》秶鷥茸兓瘯r，透過率的變化僅在?。保埃プ笥摇＿@可以保證光纖與探測器耦合后，　其光譜響應曲線與原探測器的光譜響應曲線相　比不會出現大的變化。曲線３為光纖與探測器耦　達５５％以上?！『虾蟮捻憫€。曲線４為根據曲線１、２得到　的計算曲線。可以看出，曲線３與曲線４的重合　度很好，說明實測結果與理論值一致。根據曲線　３和曲線４得到的峰值響應波長分別為１．５８　和１．６１　，證實了耦合前后峰值響應波長變化　不大的情況（與上述分析吻合）?！”恚绷谐隽藷o光纖探測器的性能和光纖耦　合探測器的耦合效率?？梢钥闯觯跊]有中間透　鏡的情況下，光纖耦合型ＩｎＧａＡｓ探測器可以得　到較高的耦合效率。當采用與芯片尺徑相當的?。保埃啊」饫w耦合時，耦合效率可達３０％以上?！〉墓饫w時，耦合效率可　圖２光譜響應曲線　而當采用芯徑為５００　表１光纖耦合探測器的性能與耦合效率?。秤绊戱詈闲实囊蛩嘏c分析　芯片與光纖耦合封裝時的損耗主要來源于　率約為８０％，其中菲涅爾反射可以通過鍍制合　適的減反膜來消除【引。因此，在封裝過程中需　要著重考慮對準偏差的影響?！∪齻€方面。一是光纖與芯片的對準偏差，包括光　纖端面與芯片表面的間距偏差（ｚ向）、橫向偏　差（ｘ向、Ｙ向）和角度偏差等?。?，其對耦合效　率的影響非常明顯。二是由于光纖出射端光束　發散引起的漏光。若要盡可能地接受全部的光　能量，有一個辦法即增大探測器的面積。隨著探　測器面積的增加，器件的暗電流就會增大。而本　圖３所示為在１６６０　ａｍ光照條件下和一０．１?。帧‰妷合碌墓怆娏鞯慕^對值與黑體響應信號之間　的關系?？梢钥闯?，隨著光電流的增加，響應信　號迅速增加，而且兩者之間存在一一對應關系。　當光電流達到最大值時，響應信號最大，黑體探　測率也達到最大值。由于光電流測試比黑體探　測率測試簡單，在耦合對準過程中用光電流值　文定義的耦合效率是以黑體探測率在有無光纖　存在時的比值來衡量的，因此芯片面積的增大　反而會使耦合效率降低。相反，從表１中可以看　出，增大光纖芯徑，增大光通量，可以提高耦合　效率。但這種方法會引起漏光或者使雜散光變　得嚴重，這將會影響多元或焦平面器件的分辨　率，不利于系統的集成和簡化。三是光纖表面存　在的菲涅爾反射以及光在傳播過程中引起的吸　測試代替性能測試，可以簡化耦合調整系統，便　于實驗操作。　圖４所示為ｘ正方向和ｚ方向偏移對光電　流的影響。可以看出，對準偏差對光電流值的影　響很大，但ｘ向偏差與ｚ向偏差存在明顯差異?！≡冢较蛏希S著偏移距離的增加，光電流大　致呈線性緩慢下降的趨勢。光電流的大小對ｘ　向偏移十分敏感，而且當ｚ向偏移越小時，這種?。桑危疲遥粒遥牛模ǎ停希危裕龋蹋伲郑铮蹋常?，Ｎｏ．３，ＭＡＲ?。玻埃保病∈铡尽?。石英光纖在０．９—１．７　波段的平均透過　ｈｔｔｐ：／／ｊｏｕｒｎａ１．ｓｉｔｐ．ａｃ．ｃｎ／ｈｗ　影Ⅱ向越強（表現為ｚ向偏移越小，曲線的斜率越　大）?！∈街?，Ｙ為耦合效率，　為橫向偏移量，Ａ為　積分面積，Ｗ為半寬值?！。蹋幔鳎螅铮畹热耍邸＃菁僭O在光纖的數值孔徑內，　光纖端出射光場的光強徑向分布是均勻的。而?。裕幔耄幔椋郏保稀亢统滔妫郏保保莸热嗽岢隼w端出射光場的　場強分布可以用高斯型函數來描述。為了更好地　表示多模光纖與ＩｎＧａＡｓ芯片的耦合特點，我們　將光電流值換算成耦合效率，并以耦合效率為　縱坐標，以ｘ向偏移量為橫坐標作圖（見圖５）?！∑渲校鼽c代表實驗點，曲線為高斯擬合曲線。　可以看出，實驗點與高斯曲線有較好的擬合關　系，說明多模光纖出射光束的光強分布呈高斯　分布。其中，高斯擬合關系式可表示為　ｙ－——　＿Ａｅ?。濉?。／＂。?。ǎ保薄。省。恚。凇。祝D３黑體探測率與光電流的關系　Ｚ軸偏移ｔｌ／ｍ　（ａ）水平方向　圖４定位偏差與光電流的關系　（ｂ）垂直方向　與光電流大小相對應，隨著ｚ向偏移量的增　加，可測得的耦合效率的最大值變小，半寬值Ｗ　變大，說明出射光束是不斷發散的。圖５也直觀　地顯示了耦合效率對ｘ向偏移量的依賴程度?！榱说玫奖容^高的耦合效率，在實際封裝過程　中應盡量減小ｘ向偏移量的大小。而ｚ向偏移量　則存在一定的矛盾性。當ｘ向偏差量很小時，耦　合效率會隨著ｚ向偏差量的減小而增大；當ｘ　向偏差量變大時，耦合精度會隨著ｚ向偏差量　的減小而減小。同時，由于受到芯片拋絲高度和　保護距離的影響，ｚ向偏移量也不可能太小。對　于采用芯徑為１００?。纾淼墓饫w與探測器芯片的耦?。桑危疲遥粒遥牛模ǎ停希危裕龋蹋伲郑希蹋常?，Ｎｏ．３，ＭＡＲ?。玻埃保病D５橫向偏移量與耦合效率的高斯擬合　合而言，當Ｚ向偏移量在１００　３００?。纾碇g，　參考文獻　ｘ向偏移量小于１５　ｍ時，其最終的耦合效率可　在３０％以上。　…Ｄａｎｉｅｌｓ?。粒蹋椋澹穑恚幔睿睢。浴。祝疲椋猓澹颉。希穑簦椋悖幔欤欤。茫铮酰穑欤澹洹。桑睿妫颍幔颍澹洹。疲铮悖幔臁。校欤幔睿濉。粒颍颍幔。樱螅簦澹怼。妫铮颉。眨螅濉。椋睢。停椋蟆。唇Y論?。螅椋欤濉。祝幔颍睿椋睿纭。遥澹悖澹椋觯澹颉。粒穑穑欤椋悖幔簦椋铮睿螅郏茫荩螅袝?，２００９，?。常罚埃保海保保福保常埃。ǎ保┦⒐饫w與ＩｎＧａＡｓ探測器芯片可以實　『２１朱翔，方中華，孫勝利．光纖傳像系統中的耦合技　現較好的耦合。增加石英光纖后，芯片在０．９—　術研究［Ｊ］＿紅外技術，２００６，２７（５）：２５￣２６０．?。保贰〉墓庾V響應曲線與原曲線相比變化不大?！。妫常睆埻醮呵啵雽w激光器組件封裝中光纖的固　（２）ＩｎＧａＡｓ芯片在０．１?。滞鈮捍嬖谙碌墓怆姟《ǚ椒ā海剩荩雽w光電，２００４，２５（２）：８７—９０．　流大小與黑體響應率有一一對應關系。耦合時?。妫矗萘红o秋，侯鳳杰．采用硅Ｖ型槽的一維光纖陣列的　光電流的絕對值越大，說明黑體響應率越大，耦　研制［Ｊ】．光學精密工程，２００７，１５（１）：８９—９４．　合效率越高。用光電流值測試代替性能測試，可　［５］肖志剛，李斌成．高斯光束到光纖的單透鏡耦合［Ｊ］．　以簡化耦合調整系統?！」怆姽こ?，２００８，３５（８）：３０—３４．　（３）多模石英光纖的出射端光強呈高斯分?。郏叮荩祝幔欤欤睿澹颉。?，Ｗｉｎｚｅｒ　Ｐ?。?，Ｌｅｅｂ?。住。遥粒欤椋纾睿恚澹睿簟。裕铮欤澹颉。幔睿悖澹蟆。铮妫颉。校欤幔睿澹祝幔觯濉。簦铩。樱椋睿纾欤?－Ｍｏｄｅ?。疲椋猓澹颉。茫铮酰穑欤椋睿纭〔?。隨著光纖端面與芯片表面的間距偏差的增?。幔睿洹。裕瑁澹椋颉。停椋簦椋纾幔簦椋铮睢。猓。眨螅濉。铮妗。校椋纾簦幔椋欤澹洹。茫铮欤欤椋恚幔簦铮颍蟆〖?，高斯分布曲線的半寬值增大，光束不斷發?。郏剩荩粒穑穑欤椋澹洹。希穑簦椋悖?，２００２，４１（４）：６３￣６４３．　散?！。妫罚眲⒊?，王欣，袁海慶，等．垂直腔面發射激光器的?。ǎ矗┬酒c光纖的對準偏差對耦合效率的影?。裕戏庋b的耦合效率模擬分析ｆＪ］．半導體學報，２００６，　響很大，其中對橫向偏移量的依賴性最強。對于?。玻罚ǎ矗海罚怠。薄罚担担⌒緩綖椋保埃埃簦淼墓饫w與探測器芯片的耦合，當?。妫福泵?，吳恒鋒．高斯光束傳輸理論在半導體激光器耦　ｚ向偏移量在１００—３００　ｒｔｍ之間，ｘ向偏移量　合中的應用＿Ｊ］．半導體光電，２００１，２２（５）：３５９—３６１．　小于１５?。穑頃r，其最終的耦合效率可在３０％以　『９１?。蹋幔鳎螅铮睢。谩。?，Ｔｅｋｉｐｐｅ　Ｖ　Ｊ．Ｆｉｂｅｒ—ｏｐｔｉｃ?。模椋幔穑瑁颍幔纾怼∩?。通過增大光纖芯徑可以提高耦合效率。當采　ｃｕｒｖａｔｕｒｅ　Ｐｒｅｓｓｕｒｅ?。裕颍幔睿螅洌酰悖澹颍郏剩荩撸希穑簦椋悖蟆。蹋澹簦簦澹颍螅∮茫担埃啊。纾砉饫w時，耦合效率可達５５％以上。　１９８３，８（５）：２８６　２８８．?。郏保埃荩裕幔耄幔椤。?，Ａｓａｋｕｒａ　Ｔ．Ｓｔａｔｉｓｔｉｃａｌ?。校颍铮穑澹颍簦椋澹蟆。铮妗。蹋幔螅澹颉。抵轮x　Ｓｐｅｃｋｌｅｓ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ?。酰睿洌澹颉。桑欤欤酰恚椋睿幔簦椋铮睢。妫颍铮怼。痢。停酰欤簦椤。恚铮洌濉。希穑簦椋悖幔臁。疲椋猓澹颍郏剩荩省。铮穑簟。樱铮恪。粒怼。?，１９８５，２（８）：　感謝唐恒敬博士提供ＩｎＧａＡｓ光伏型芯片，?。保玻福玻保玻梗埃〔⒏兄x汪洋和李淘在組件性能測試過程中所給?。妫保保背滔?，王宇華，龐振章，等．光纖出射光強分布研　予的幫助?！【俊海剩荩袊嬃繉W院學報，２００６，１７（１）：２１—２４．　瑞士正在研制一種可對唾液中所含　可卡因進行檢測的紅外裝置　據ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｐｈｙｓｏｒｇ．ｃｏｉｎ網站報道，瑞　士蘇黎世聯邦理工學院的研究人員目前正在開　發一種用于檢測唾液中是否含有可卡因及其代　謝物的紅外測量技術。他們已經成功完成了研　制手持式測量設備的前期工作?！】谠罉E干?。桑危疲遥粒遥牛模ǎ停希危裕龋蹋伲郑希蹋常?，Ｎｏ．３，ＭＡＲ?。玻埃保病?/p>

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