2023年12月13日發(fā)(作者:盛的拼音)

(19)中華人民共和國國家知識產(chǎn)權(quán)局
(12)發(fā)明專利申請
(21)申請?zhí)?CN2.1
(22)申請日 2016.12.27
(71)申請人 中國科學(xué)院微電子研究所
地址 100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號
(10)申請公布號
CN106601740A
(43)申請公布日 2017.04.26
(72)發(fā)明人 常虎東;劉洪剛;夏慶貞;孫兵;王盛凱
(74)專利代理機(jī)構(gòu) 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
代理人 張瑾
(51)
H01L27/092;
H01L29/10;
H01L21/20;
權(quán)利要求說明書 說明書 幅圖
(54)發(fā)明名稱
硅基InGaAs溝道雙柵COMS器件
(57)摘要
本發(fā)明提供一種硅基InGaAs溝道雙柵
COMS器件。本發(fā)明采用介質(zhì)鍵合方法實(shí)現(xiàn)硅基半導(dǎo)體材料與InGaAs溝道雙柵CMOS器件的集成,以提高CMOS器件的異構(gòu)集成度,且雙柵結(jié)構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)器件的低功耗工作,且器件的閾值電壓調(diào)節(jié)更容易。
本文發(fā)布于:2023-12-13 09:01:22,感謝您對本站的認(rèn)可!
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