2023年12月13日發(fā)(作者：日本姓名)-第42卷，第1期文章編號:1672-8785(2021)01-0001-05紅外1p-i-n In&InGaAs光電探測器的 電流及電容特性研究夏少杰陳俊"(蘇州大學(xué)電子信息學(xué)院，江蘇蘇州215006)摘要：為了實現(xiàn)高靈敏度探測，紅外探測器需要得到優(yōu)化&利用Silvaco器 件仿真工具研究了 p-i-n型InP/Ino. 53Ga0.47As/In0.

2023年12月13日發(fā)(作者：租賃合同協(xié)議書)-InGaAs探測器的光電性能仿真與結(jié)構(gòu)優(yōu)化研究 短波紅外In GaAs探測器在近室溫下具有良好的性能,在航天遙感領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用價值。為進(jìn)一步提升短波紅外InGaAs探測器的性能,本論文重點研究了InAlAs帽層的晶格匹配和延伸波長探測器的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)參數(shù)對暗電流的影響,并進(jìn)行了實驗驗證,研究了器件暗電流機(jī)制;仿真了吸收層內(nèi)含有電子阻擋層器件的暗電流