光刻機和蝕刻機有什么區別?

先了解一下光刻中必須要用的東西——光刻膠,簡單的來說這種膠狀物,只能被光腐蝕,而不能被化學物質腐蝕,製造晶片時講光刻膠涂在金屬表面,然后用光把不需要的地方腐蝕掉,製作出自己需要的圖形(電路結構之類的),接下來就該蝕刻機上場了。

蝕刻分為兩類,一類是干刻,一類是溼刻(目前主流),溼刻就是特定的化學溶液與上個部分光刻機制作后的薄膜發生反應,發生反應過后剩下的東西,就是需要的東西了,這個過程有液體接觸,所以叫溼刻。

干刻更加高階,目前并沒有大規模應用,它是通過等離子電漿去除未覆蓋的薄膜。

以前光刻機領域還有佳能尼康制衡ASML,不過隨著技術差距越來越多,目前高階光刻機市場被ASML壟斷,7nm級別光刻機17年的產量只有12臺,一臺1.2億美元,還要提前21個月預訂,中國就算排隊,也不知道哪年買得到,背地里還有有些國家作怪,目前中國產光刻機還處于90nm階段,任重道遠。

目前能生產7nm級別蝕刻機的有應用材料,科林研發,東京威力科創,日立先端,中微半導體五家公司,中微是唯一一家中國企業,并且已經開始向臺積電供貨,中微也代表著中國頂尖的半導體技術。

中國半導體起步晚,需要走的路還很長,不過中國人最不缺的就是毅力,只有堅持不懈方能厚積薄發。

基礎知識關鍵點

簡單的回答。

光刻機劃線,刻蝕機雕刻。

目前荷蘭10奈米光刻機世界第一,中國目前光刻機是90奈米,也有說是28奈米的,總之,光刻機差距很大。

目前刻蝕機中國5奈米世界第一,據說7奈米齊驅并駕的刻蝕機還有3家。

餓小錢

光刻機,是在晶圓上雕刻電路。

蝕刻機,是給刻好電路的晶圓去除雜質。

這兩機器,是製造晶片不可缺少的精密儀器,也是配套使用的。

歐界科技

其實從字面表面意思就能看出來,無論是這兩個其中的哪種機器,用在晶片製造上都有很大的幫助,也是晶片製造的主要方式。

隨著時間的推進,現在的光刻技術出現兩種趨勢,一個是光刻機,一種是蝕刻機。

光刻機是晶片製造行業的主要載體。

他的工作原理是在硅片上涂上一層均勻的光刻膠,然后利用紫外線照在上面,其中還包含了編碼,把需要刻制的東西編碼完成,用光刻技術刻到上面。

從而達到儲存的效果。

光刻機上面是光照部,中間是掩膜版,最后是需要刻制的載體。

光刻機發展至今,目前已經有了很多種形式,但工作原理大同小異,沒什么區別。

而且國內現在已經有了自主產權,發展前景很不錯。

蝕刻機與光刻機比起來就有些粗糙了,他是直接把內容刻在載體上,對載體表面進行侵蝕從而達到燒錄的目的。

目前國內的蝕刻機有兩種,干刻和溼刻,但是工作原理都相同,利用離子與電壓的結合,達到燒錄的目的。

總的來說,兩種刻制方式都是主流的形式,如果選擇的話完全是根據自己的需求。

只能說兩種都不會讓人失望。