手機room(手機root后有什么好處和壞處)

就好像新款PC的主硬盤已經全面過渡到SSD一樣，如今智能手機的閃存也都經歷了一次較大的迭代，就是從eMMC閃存跨越到了UFS閃存。那么，又有誰在影響UFS閃存的性能呢？

RAM和ROM的區別

直到現在還有不少朋友搞不清RAM和ROM的差異，本文我們就再做次小科普。RAM代表手機內存（又稱“運存”），就好像PC上的內存條，只是手機內存都是一顆單獨的芯片。ROM代表存儲空間（又稱“閃存”），類似PC上的硬盤，而手機上的ROM依舊是以一顆NAND閃存芯片的形態存在。

閃存標準

早期智能手機都內置eMMC閃存，它是在NAND閃存芯片的基礎上，額外集成了主控制器，并將二者“打包”封裝封成一顆BGA芯片，從而減少了對PCB主板的空間占用。eMMC的最新標準為eMMC 5.1，常見于千元以內的入門級手機市場，讀取速度最高只有400MB/s左右。

UFS是eMMC的進階版，它是由多個閃存芯片、主控、緩存組成的陣列式存儲模塊。UFS彌補了eMMC僅支持半雙工運行（讀寫必須分開執行）的缺陷，可以實現全雙工運行，所以性能得以翻番。

UFS目前存在UFS2.0（讀取速度700MB/s）、UFS2.1（900MB/s）、UFS2.2（900MB/s）、UFS3.0（1700MB/s）和UFS3.1（1900MB/s）等標準，UFS2.x常見于中低端產品，UFS3.x則是高端手機的標配。

閃存通道

和內存一樣，UFS閃存也存在單通道和雙通道之別，兩者讀寫性能相差30%~50%之間。好消息是，如今新款手機都已標配雙通道UFS，所以咱們只要簡單了解一下即可。

Write Turbo技術

Write Turbo是UFS3.0時期引入的一項虛擬技術，很多品牌主打的閃存增強技術大多是基于它優化而來。我們都知道，現在手機閃存都是TLC介質的NAND芯片，它的優勢是可以在每個存儲單元中保存3bit，能以低成本實現更大的容量，但讀寫，特別是寫入速度遠不如SLC NAND。

所謂的Write Turbo，其實就是虛擬SLC技術。它會將部分TLC閃存容量虛擬成SLC，當手機在寫入數據時，系統會優先將其寫入到虛擬的SLC空間，由于后者每個存儲單元只需保存1bit數據，所以寫入速度會有大幅提升（讀取速度也有明顯提升）。

但是，如果一次寫入的數據容量超過了虛擬SLC容量，讀寫速度便會驟降至TLC的水平上。

各大手機廠商會在虛擬SLC的容量和調度規則上存在差異，比如有些廠商會選擇全盤虛擬SLC的方式，隨著使用空間的逐漸增加，速度會逐漸下降。因此，都是內置UFS3.1+Write Turbo閃存的手機，它們之間的實際體驗可能也有高低之分。

最新量產的UFS2.2，本質上其實就是UFS2.1+Write Turbo，可以將持續寫入速度從250MB/s提升到500MB/s以上。

磁盤陣列存儲系統

除了使用Write Turbo虛擬SLC以外，黑鯊4 Pro和黑鯊4S系列還給我們帶來了一個全新的思路——磁盤陣列存儲系統。

簡單來說，這款手機除了內置閃存芯片以外，還額外添加了一顆來自群聯的SSD芯片，并將二者組成了Raid 0陣列，如此讓手機的讀寫速度都有著50%以上的提升。

RAMDISK磁盤加速器

黑鯊4 Pro和4S系列同時還主打一項名為RAMDISK磁盤加速器的功能。提起“RAMDISK”很多朋友應該非常熟悉，很早以前CFan曾多次報道過如何將電腦閑置內存使用虛擬成RAMDISK“內存盤”，保存其中的程序運行飛快，但每次關機內存盤都會被清空，下次開機后還需重新加載程序。

電腦領域的RAMDISK內存虛擬硬盤軟件

黑鯊的RAMDISK磁盤加速器的原理和內存盤差不多，都是直接通過內存模擬閃存存儲空間，讓游戲文件直接在內存中完成讀寫，游戲的啟動、加載和運行速度更是大幅提升。需要注意的是，該功能僅限標配12GB或16GB內存的高配版本，8GB內存版則不支持RAMDISK技術。

原因也很簡單，在當前的應用環境8GB內存都不嫌多，哪里還有額外空間供你虛擬閃存？此外，同一時間僅有一款游戲可以運行在基于RAMDISK技術的極速模式下，想切換其他游戲時必須等待一定的時間讓極速模式掛載完成。

閃存內存合二為一

作為手機內部最占用PCB主板空間的“大戶”，內存（包括隱藏在其下面的SoC）和閃存的體型都不小，如果能將這顆存儲芯片也和處理器內存摞在一起，不就可以更加節省主板空間了嗎？2020年底，美光發布的uMCP5閃存技術就有望實現這個夢想。

簡單來說，uMCP5是全球首次通過MCP多芯片封裝的方式，在單顆芯片內就完整集成了自家的LPDDR5內存芯片、NAND閃存芯片以及UFS 3.1控制器，它采用TFBGA封裝格式，最大可選12GB+256GB容量。其中，該產品LPDDR5內存的部分支持6400Mbps的數據傳輸率，UFS3.1閃存部分的編程/擦寫循環次數可達到5000次。

總之，美光uMCP5的出現，可以進一步提升手機的存儲密度，節省內部空間、成本和功耗，而我們也期待這種“二合一”的存儲芯片可以早日在手機領域量產，并有機會用于筆記本等其他計算設備領域。

小結

作為影響手機性能輸出的“鐵三角”，閃存和內存的重要性不次于處理器，因此每次它們的技術革新，都會帶來切實的實際體驗提升。希望大家今后在選購手機時，可以將目光多多投向這兩個領域的優化和升級上。