內存主要參數

內存種類

目前，桌面平臺所采用的內存主要為DDR 1、DDR 2和DDR 3三種，其中DDR1內存已經基本上被淘汰，

而DDR2和DDR3是目前的主流。

DDR1內存

第一代DDR內存

DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是

在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對于內存廠商而言，只需對制造普通SDRAM

的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。

DDR2內存

第二代DDR內存

DDR2 是 DDR SDRAM 內存的第二代產品。它在 DDR 內存技術的基礎上加以改進，從而其傳輸速度更快

（可達800MHZ ），耗電量更低，散熱性能更優良。

DDR3內存

第三代DDR內存

DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓， 從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電；DDR2的4bit

預讀升級為8bit預讀。DDR3目前最高能夠1600Mhz的速度，由于目前最為快速的DDR2內存速度已經提升

到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3內存模組將會從1333Mhz的起跳。

三種類型DDR內存之間，從內存控制器到內存插槽都互不兼容。即使是一些在同時支持兩種類型內存

的Combo主板上，兩種規格的內存也不能同時工作，只能使用其中一種內存。

內存SPD芯片

內存SPD芯片

SPD(Serial Prence Detect): SPD是一顆8針的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM

電可擦寫可編程只讀存儲器）, 容量為256字節，里面主要保存了該內存的相關資料，如容量、芯片廠商、

內存模組廠商、工作速度等。SPD的內容一般由內存模組制造商寫入。支持SPD的主板在啟動時自動檢測

SPD中的資料，并以此設定內存的工作參數。

啟動計算機后，主板BIOS就會讀取SPD中的信息，主板北橋芯片組就會根據這些參數信息來自動配置

相應的內存工作時序與控制寄存器，從而可以充分發揮內存條的性能。上述情況實現的前提條件是在BIOS

設置界面中，將內存設置選項設為“By SPD”。當主板從內存條中不能檢測到SPD信息時，它就只能提供

一個較為保守的配置。

從某種意義上來說，SPD芯片是識別內存品牌的一個重要標志。如果SPD內的參數值設置得不合理，

不但不能起到優化內存的作用，反而還會引起系統工作不穩定，甚至死機。因此，很多普通內存或兼容內

存廠商為了避免兼容性問題，一般都將SPD中的內存工作參數設置得較為保守，從而限制了內存性能的充

分發揮。更有甚者，一些不法廠商通過專門的讀寫設備去更改SPD信息，以騙過計算機的檢測，得出與實

際不一致的數據，從而欺騙消費者。

XMP技術

支持XMP技術的內存產品

BIOS里的XMP設置

Intel Extreme Memory Profiles 簡稱XMP，它是一種提高內存性能的技術，與NVIDIA的SLI Memory

技術類似。Intel制定了Intel Extreme Memory Profiles (Intel XMP Specification)，會對DDR3內存

作出認證，芯片組會自動識別通過認證的指定品牌和指定型號的內存模組產品，通過提高數據吞吐量，增

加帶寬等手段使其性能增加。

英特爾公司表示，由于主要面向未來的高端平臺，因此這項技術并不會出現在DDR2內存模組上，要想

使用“Extreme Memory”技術的首要條件就是要使用DDR3內存。

內存控制器（Memory Controller）

內存控制器是計算機系統內部控制內存并且通過內存控制器使內存與CPU之間交換數據的重要組成部

分。內存控制器決定了計算機系統所能使用的最大內存容量、內存BANK數、內存類型和速度、內存顆粒數

據深度和數據寬度等等重要參數，也就是說決定了計算機系統的內存性能，從而也對計算機系統的整體性

能產生較大影響。

早期內存控制器集成在主板北橋芯片

傳統的計算機系統其內存控制器位于主板芯片組的北橋芯片內部，CPU要和內存進行數據交換，需要

經過“CPU--北橋--內存--北橋--CPU”五個步驟，在此模式下數據經由多級傳輸，數據延遲顯然比較大從

而影響計算機系統的整體性能；而AMD的K8系列CPU（包括Socket 754/939/940等接口的各種處理器）

內部則整合了內存控制器，CPU與內存之間的數據交換過程就簡化為“CPU--內存--CPU”三個步驟，省略

了兩個步驟，與傳統的內存控制器方案相比顯然具有更低的數據延遲，這有助于提高計算機系統的整體性

能。

AMD率先在桌面平臺將內存控制器集成在CPU

英特爾新酷睿家族處理器也集成了內存控制器

CPU內部整合內存控制器的優點，就是可以有效控制內存控制器工作在與CPU核心同樣的頻率上，而

且由于內存與CPU之間的數據交換無需經過北橋，可以有效降低傳輸延遲。打個比方，這就如同將貨物倉

庫直接搬到了加工車間旁邊，大大減少了原材料和制成品在貨物倉庫和加工車間之間往返運輸所需要的時

間，極大地提高了生產效率。這樣一來系統的整體性能也得到了提升。

內存規格參數

內存性能規格標簽

內存頻率

和CPU一樣，內存也有自己的工作頻率，頻率以MHz為單位內存主頻越高在一定程度上代表著內存所

能達到的速度越快。內存主頻決定著該內存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前最為主流的內存頻率為

DDR2-800和DDR3-1333，作為DDR2的替代者，DDR3內存的頻率已經在向3000MHz進發。

內存容量

內存的容量不但是影響內存價格的因素，同時也是影響到整機系統性能的因素。過去Windows XP平臺，

512M的內存還是主流，1GB已經是大容量；到了現在，64位系統開始普及，Windows Vista、Windows 7越

來越多人使用，沒有2GB左右的內存都不一定能保證操作的流暢度。目前，單根內存的容量主要有1GB、

2GB兩種，高端的還有很罕有的單根4GB超大容量內存

工作電壓

內存正常工作所需要的電壓值，不同類型的內存電壓也不同，但各自均有自己的規格，超出其規格，

容易造成內存損壞。DDR2內存的工作電壓一般在1.8V左右，而DDR3內存則在1.6V左右。有的高頻內存

需要工作在高于標準的電壓值下，具體到每種品牌、每種型號的內存，則要看廠家了。只要在允許的范圍

內浮動，略微提高內存電壓，有利于內存超頻，但是同時發熱量大大增加，因此有損壞硬件的風險。

內存時序參數

BIOS內存時序設置

tCL : CAS Latency Control(tCL)

一般我們在查閱內存的時序參數時，如“8-8-8-24”這一類的數字序列，上述數字序列分別對應的參

數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個第一個“8”就是第1個參數，即CL參數。

CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency

是“內存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”。CAS控制從接受一個指令到執行指令之間的時間。因為

CAS主要控制十六進制的地址，或者說是內存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數，在穩定的前提

下應該盡可能設低。

內存是根據行和列尋址的，當請求觸發后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），預充電后，

內存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）開始進行需要數據的尋址。

首先是行地址，然后初始化tRCD，周期結束，接著通過CAS訪問所需數據的精確十六進制地址。期間從CAS

開始到CAS結束就是CAS延遲。所以CAS是找到數據的最后一個步驟，也是內存參數中最重要的。

這個參數控制內存接收到一條數據讀取指令后要等待多少個時鐘周期才實際執行該指令。同時該參數

也決定了在一次內存突發傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鐘周期數。這個參數越小，則內存的速

度越快。必須注意部分內存不能運行在較低的延遲，可能會丟失數據。而且提高延遲能使內存運行在更高

的頻率，所以需要對內存超頻時，應該試著提高CAS延遲。

該參數對內存性能的影響最大，在保證系統穩定性的前提下，CAS值越低，則會導致更快的內存讀寫

操作。

內存標簽

tRCD : RAS to CAS Delay

該值就是“8-8-8-24”內存時序參數中的第2個參數，即第2個“8”。RAS to CAS Delay(也被描述

為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行尋址到列尋址延遲時間"，數值越小，性能越好。

對內存進行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。在JEDEC規范中，它是

排在第二的參數，降低此延時，可以提高系統性能。如果你的內存的超頻性能不佳，則可將此值設為內存

的默認值或嘗試提高tRCD值。

tRP : Row Precharge Timing(tRP)

該值就是“8-8-8-24”內存時序參數中的第3個參數，即第3個“8”。Row Precharge Timing (也被

描述為：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"內存行地址控制器預充電時間"，預充電參

數越小則內存讀寫速度就越快。tRP用來設定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時間。

tRAS : Min RAS Active Timing

該值就是該值就是“8-8-8-24”內存時序參數中的最后一個參數，即“24”。Min RAS Active Time (也

被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、

Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“內存行有效至預充電的最短周期”，調整這個參數需要

結合具體情況而定，一般我們最好設在24~30之間。這個參數要根據實際情況而定，并不是說越大或越小

就越好。

如果tRAS的周期太長，系統會因為無謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會導致已被激活的行

地址會更早的進入非激活狀態。如果tRAS的周期太短，則可能因缺乏足夠的時間而無法完成數據的突發傳

輸，這樣會引發丟失數據或損壞數據。該值一般設定為CAS latency + tRCD + 2個時鐘周期。

DDR2—DDR3的換代交接已經基本完成

對于大多數人來說，內存這個小硬件選好容量和頻率，然后插上主板用上就行了，對它的很多小參數

完全不在意。所以，行業廠商也會提供比較傻瓜式的讀取內存SPD芯片的參數信息，自動設置各項小參，

簡單好用；更有簡單的超頻設置——XMP技術，讓普通用戶也能簡單地享受超頻增值的樂趣。當然，真正

的玩家在超頻時為了達到最理想的效果，還是更傾向于手動設置各項小參。希望通過這篇文章，大家能對

內存的各項參數有更深的理解，并在使用上有一定的幫助。