長波長InGaAs/InP APD光接收組件

2023年12月13日發(作者：黃保余)

-

長波長InGaAs／InP APD光接收組件

胡春陽;王樹堂

【期刊名稱】《紅外與毫米波學報》

【年(卷),期】1992(011)001

【摘 要】在理論分析與計算的基礎上研制了一種用于140Mb/s長波光纖通信的新型高靈敏度光接收組件,組件采用混合集成電路技術制成,由InGaAs/InP SAGM雪崩光電二極管和硅雙極晶體管互阻型前置放大器組成.工作波長為1.3μm時,理論計算的靈敏度為-48.6dBm,實際測量值為-47dBm,優于現有的PIN/FET光接收組件或Ge雪崩光電二極管.

【總頁數】6頁(P21-26)

【作 者】胡春陽;王樹堂

【作者單位】不詳;不詳

【正文語種】中 文

【中圖分類】TN253

【相關文獻】

／InGaAsP／InP SAGM—APD暗電流與光倍增因子的溫度特性 [J], 丁國慶

／InGaAsP／InP長波長雪崩光電二極管研究 [J], 李鋒;王樹堂

3.貼合法制造長波長InGaAs/InP-GaAs/AlGaAs APD [J], 沈力

-APD及InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD的暗電流-溫度特性及其比較

[J], 丁國慶 5.基于InP/InGaAs HBT技術的單片集成長波長光接收OEIC [J], 李獻杰;趙永林;蔡道民;曾慶明;蒲運章;郭亞娜;王志功;王蓉;齊鳴;陳曉杰;徐安懷

因版權原因，僅展示原文概要，查看原文內容請購買

-