耗盡層（高電阻區(qū)域）

耗盡層（高電阻區(qū)域）

耗盡層 （高電阻區(qū)域） 次瀏覽 | 2022.10.19 10:55:51 更新 來源 ：互聯(lián)網(wǎng) 精選百科 本文由作者推薦 耗盡層高電阻區(qū)域

耗盡層，是指PN結(jié)中在漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散作用的雙重影響下載流子數(shù)量非常少的一個(gè)高電阻區(qū)域。耗盡層的寬度與材料本身性質(zhì)、溫度以及偏置電壓的大小有關(guān)。在PN結(jié)中，由于載流子濃度的梯度，空穴、電子會(huì)通過擴(kuò)散作用的形式分別向摻雜濃度低的N區(qū)、P區(qū)移動(dòng)。PN交界面處空穴與電子復(fù)合，剩余的正負(fù)離子產(chǎn)生一個(gè)內(nèi)在電場(chǎng)。這個(gè)電場(chǎng)會(huì)使載流子發(fā)生漂移運(yùn)動(dòng)，這一運(yùn)動(dòng)與擴(kuò)散的方向正好相反，二者會(huì)達(dá)成動(dòng)態(tài)平衡。因?yàn)楹谋M層中載流子少，其特征類似電容，這一電容也被稱為結(jié)電容。

中文名

耗盡層

影響因素

溫度偏置電壓的大小

類型

一個(gè)高電阻區(qū)域

學(xué)科

物理

基本內(nèi)容

形成在PN結(jié)中，由于載流子濃度的梯度，空穴、電子會(huì)通過擴(kuò)散作用的形式分別向摻雜濃度低的N區(qū)、P區(qū)移動(dòng)。PN交界面處空穴與電子復(fù)合，剩余的正負(fù)離子產(chǎn)生一個(gè)內(nèi)在電場(chǎng)。這個(gè)電場(chǎng)會(huì)使載流子發(fā)生漂移運(yùn)動(dòng)，這一運(yùn)動(dòng)與擴(kuò)散的方向正好相反，二者會(huì)達(dá)成動(dòng)態(tài)平衡。這兩種作用的結(jié)果是在PN結(jié)處形成一個(gè)電子、空穴都很稀少的耗盡層。因?yàn)楹谋M層中載流子少，其特征類似電容，這一電容也被稱為結(jié)電容。

相關(guān)研究

ZrB2+SiC陶瓷在高溫氧化過程中會(huì)形成一層多孔的SiC耗盡層。首先計(jì)算了在高溫氧化過程中的主要氧化產(chǎn)物。通過對(duì)氧化過程中相變機(jī)制的分析,利用質(zhì)量守恒、固體區(qū)域體積守恒并結(jié)合反應(yīng)速率方程,研究了SiC耗盡層的形成與演化過程,給出了孔隙率隨溫度的變化規(guī)律。結(jié)果表明:氧化過程中生成相的體積膨脹及SiC的初始體積含量是影響SiC耗盡層孔隙率的主要因素。對(duì)計(jì)算結(jié)果的分析解釋了試驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)的在低SiC含量下不出現(xiàn)耗盡層,以及氧化層破壞的現(xiàn)象。?[1]

參考資料