EEPROM(Electrically?Erasable?Programmable?read?only?memory),電可擦可編程只讀存儲器一種掉電后數據不丟失的存儲芯片。EEPROM可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息,重新編程。一般用在即插即用。EEPROM(電可擦寫可編程只讀存儲器)是可用戶更改的只讀存儲器(ROM),其可通過高于普通電壓的作用來擦除和重編程(重寫)。不像EPROM芯片,EEPROM不需從計算機中取出即可修改。在一個EEPROM中,當計算機在使用的時候是可頻繁地重編程的,EEPROM的壽命是一個很重要的設計考慮參數。一般用于即插即用(Plug&Play);常用在接口卡中,用來存放硬件設置數據;也常用在防止軟件非法拷貝的"硬件鎖"上面。
中文名EEPROM
外文名Electrically?Erasable?Programmableread?only?memory
用途編程
分類讀寫存儲器
發展EEPROM(帶電可擦可編程只讀存儲器)是用戶可更改的只讀存儲器(ROM),其可通過高于普通電壓的作用來擦除和重編程(重寫)。不像EPROM芯片,EEPROM不需從計算機中取出即可修改。在一個EEPROM中,當計算機在使用的時候可頻繁地反復編程,因此EEPROM的壽命是一個很重要的設計考慮參數。EEPROM是一種特殊形式的閃存,其應用通常是個人電腦中的電壓來擦寫和重編程。
特點EEPROM,一般用于即插即用(Plug&Play)。
常用在接口卡中,用來存放硬件設置數據。
也常用在防止軟件非法拷貝的"硬件鎖"上面。
背景知識在微機的發展初期,BIOS都存放在ROM(Read Only Memory,只讀存儲器)中。ROM內部的資料是在ROM的制造工序中,在工廠里用特殊的方法被燒錄進去的,其中的內容只能讀不能改,一旦燒錄進去,用戶只能驗證寫入的資料是否正確,不能再作任何修改。如果發現資料有任何錯誤,則只有舍棄不用,重新訂做一份。ROM是在生產線上生產的,由于成本高,一般只用在大批量應用的場合。
由于ROM制造和升級的不便,后來人們發明了PROM(Programmable ROM,可編程ROM)。最初從工廠中制作完成的PROM內部并沒有資料,用戶可以用專用的編程器將自己的資料寫入,但是這種機會只有一次,一旦寫入后也無法修改,若是出了錯誤,已寫入的芯片只能報廢。PROM的特性和ROM相同,但是其成本比ROM高,而且寫入資料的速度比ROM的量產速度要慢,一般只適用于少量需求的場合或是ROM量產前的驗證。
EPROM(Erasable Programmable ROM,可擦除可編程ROM)芯片可重復擦除和寫入,解決了PROM芯片只能寫入一次的弊端。EPROM芯片有一個很明顯的特征,在其正面的陶瓷封裝上,開有一個玻璃窗口,透過該窗口,可以看到其內部的集成電路,紫外線透過該孔照射內部芯片就可以擦除其內的數據,完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM內資料的寫入要用專用的編程器,并且往芯片中寫內容時必須要加一定的編程電壓(VPP=12~24V,隨不同的芯片型號而定)。EPROM的型號是以27開頭的,如27C020(8*256K)是一片2MBits容量的EPROM芯片。EPROM芯片在寫入資料后,還要以不透光的貼紙或膠布把窗口封住,以免受到周圍的紫外線照射而使資料受損。
基本原理由于EPROM操作的不便,后來出的主板上BIOSROM芯片大部分都采用EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM,電可擦除可編程ROM)。EEPROM的擦除不需要借助于其它設備,它是以電子信號來修改其內容的,而且是以Byte為最小修改單位,不必將資料全部洗掉才能寫入,徹底擺脫了EPROM Erar和編程器的束縛。EEPROM在寫入數據時,仍要利用一定的編程電壓,此時,只需用廠商提供的專用刷新程序就可以輕而易舉地改寫內容,所以,它屬于雙電壓芯片。借助于EEPROM芯片的雙電壓特性,可以使BIOS具有良好的防毒功能,在升級時,把跳線開關打至“on”的位置,即給芯片加上相應的編程電壓,就可以方便地升級;平時使用時,則把跳線開關打至“off”的位置,防止CIH類的病毒對BIOS芯片的非法修改。所以,仍有不少主板采用EEPROM作為BIOS芯片并作為自己主板的一大特色。
相關術語EEPROM相關專業術語:
1. | electrically erasable programmable read only memory(EEPROM) 電氣可拭除可編程只讀存儲器 |
2. | memory, electrically erasable programmable read only(EEPROM) 電氣拭除式可編程只讀存儲器 |
利用理論推導和實驗方法對電可擦除可編程只讀存儲器EEPROM單元在給定電壓下的電荷保持特性進行了分析和研究,得出了EEPROM單元電荷保持能力的理論公式,得到了單元保持狀態下的電特性曲線,發現在雙對數坐標下,閾值電壓的退化率與時間成線性關系[1]。
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