干法刻蝕（刻蝕技術）

干法刻蝕（刻蝕技術）

干法刻蝕 （刻蝕技術） 次瀏覽 | 2022.09.08 15:13:34 更新 來源 ：互聯網 精選百科 本文由作者推薦 干法刻蝕刻蝕技術

干法刻蝕是用等離子體化學活性較強的性質進行薄膜刻蝕的技術。干法蝕刻可以通過離子轟擊物理性地移除襯底表面的材料，或者通過化學反應將襯底材料轉換為不穩(wěn)定的產物通過氣泵抽走。

中文名

干法刻蝕

外文名

Dry?etching

用 途

集成電路制造

簡介

當氣體以等離子體形式存在時，它具備兩個特點：一方面等離子體中的這些氣體化學活性比常態(tài)下時要強很多，根據被刻蝕材料的不同，選擇合適的氣體，就可以更快地與材料進行反應，實現刻蝕去除的目的；另一方面，還可以利用電場對等離子體進行引導和加速，使其具備一定能量，當其轟擊被刻蝕物的表面時，會將被刻蝕物材料的原子擊出，從而達到利用物理上的能量轉移來實現刻蝕的目的。因此，干法刻蝕是晶圓片表面物理和化學兩種過程平衡的結果。

分類

根據使用離子的刻蝕機理，干法刻蝕分為三種：物理性刻蝕、化學性刻蝕、物理化學性刻蝕。其中物理性刻蝕又稱為濺射刻蝕，方向性很強，可以做到各向異性刻蝕，但不能進行選擇性刻蝕?；瘜W性刻蝕利用等離子體中的化學活性原子團與被刻蝕材料發(fā)生化學反應，從而實現刻蝕目的。由于刻蝕的核心還是化學反應，因此刻蝕的效果和濕法刻蝕有些相近，具有較好的選擇性，但各向異性較差。[1]

人們對這兩種極端過程進行折中，得到廣泛應用的一些物理化學性刻蝕技術。例如反應離子刻蝕（RIE）和高密度等離子體刻蝕（HDP）。這些工藝通過活性離子對襯底的物理轟擊和化學反應雙重作用刻蝕，同時兼有各向異性和選擇性好的優(yōu)點。RIE已成為超大規(guī)模集成電路制造工藝中應用最廣泛的主流刻蝕技術。

參考資料