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               同義詞的界定與分類-最新文檔
              
              2024年3月8日發(作者：送杜少府)同義詞的界定與分類-最新文檔 同義詞的界定與分類 同義詞是詞匯系統中詞與詞之間一種重要的詞義聚合，對于人們表情達意也具有舉足輕重的作用。關于同義詞的研究主要開始于20世紀中期，幾十年來，取得了豐厚的成果。大家雖然在某些問題上達成了共識，但分歧依然較多。首先在同義詞的界定方面，有的學者認為同義詞包括近義詞，有的學者則認為應該把近義詞從同義詞中分離出來；其次對于同
              
              
              時間：2024-03-08  熱度：8℃
              
            
              
          
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               led外延片波長
              
              2023年12月13日發(作者：難忘的第一次)-led外延片波長   LED外延片的波長主要取決于其材料和制造工藝。LED（發光二極管）是一種半導體器件，當通過電流時，會發出特定波長的光。常見的LED波長范圍包括可見光（380nm至780nm）和紅外光（780nm至1100nm）等。  在LED制造過程中，外延片是關鍵組成部分。它是由半導體材料（如硅、 GaAs、InGaAs等）制成，其厚度、材料
              
              
              時間：2023-12-13  熱度：3℃
              
            
              
          
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               InGaAs 材料
              
              2023年12月13日發(作者：寒食東風)-常識：近紅外波段 0.78-3μm，中紅外波段 3-6μm，中遠紅外波段 6-20μm，遠紅外波段 20-1000μm。粗略地認為有 1~3μm、3~5μm 和 8~14μm 三個大氣窗口 短波紅外是指 1~3μm 波段的紅外輻射. ，其廣泛存在于自然界中 1.探測材料的比較 InSb 和 InAs: 材料禁帶寬度較小，都是窄禁帶半導體，探測器性能穩定，
              
              
              時間：2023-12-13  熱度：6℃
              
            
              
          
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               重摻InP生長的InGaAs外延層遷移率的測量
              
              2023年12月13日發(作者：初日照高林)-重摻InP生長的InGaAs外延層遷移率的測量 付雪濤;劉筠;張旭;王香;管琪;裴會川;張永剛;李雪 【摘 要】通過襯底剝離技術對以重摻N型磷化銦（N ＋－InP）襯底生長的In0.53 Ga0.47 As外延層的遷移率測量方法進行了研究。首先，采用環氧樹脂膠將In0.53 Ga0.47 As外延層粘貼在半絕緣藍寶石襯底上，以鹽酸溶液腐蝕掉InP襯底；
              
              
              時間：2023-12-13  熱度：5℃
              
            
              
          
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               InGaAsGaAsP應變補償多量子阱MOCVD生長
              
              2023年12月13日發(作者：山河之書)-第42卷第4期2021年4月發光學報CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCEVol. 42 No. 4Apr. , 2021文章編號：1000-7032(2021)04-0448-07InGaAs/GaAsP應變補償多量子阱MOCVD生長王 旭，王海珠*,張 彬，王曲惠，范 杰，鄒永剛，馬曉輝(長春理工大學高功率半導體激光國家重點實
              
              
              時間：2023-12-13  熱度：5℃
              
            
              
          
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               InGaAs 材料
              
              2023年12月13日發(作者：今年高考分數)-常識：近紅外波段 0.78-3μm，中紅外波段 3-6μm，中遠紅外波段 6-20μm，遠紅外波段 20-1000μm。粗略地認為有 1~3μm、3~5μm 和 8~14μm 三個大氣窗口 短波紅外是指 1~3μm 波段的紅外輻射. ，其廣泛存在于自然界中 1.探測材料的比較 InSb 和 InAs: 材料禁帶寬度較小，都是窄禁帶半導體，探測器性能穩
              
              
              時間：2023-12-13  熱度：50℃
              
            
              
          
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