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            • 什么是恒沸精餾(共沸精餾)
              2024年3月14日發(作者:我愛春天作文) 一、什么是恒沸精餾(共沸精餾) 在被分離的物系中加入共沸劑(或者稱共沸組分),該共沸劑必須能和物系中一個或幾個組分形成具有最低沸點的恒沸物,以至于使需要分離的集中物質間的沸點差(或相對揮發度)增大。在精餾時,共沸組分能以恒沸物的形式從精餾塔頂蒸出,工業上把這種操作稱為恒沸精餾。 下面以制取無水酒精為例,說明恒沸精餾的過程,水和酒精能形成具有恒沸點的混合
              時間:2024-03-14  熱度:3℃
            • 共沸精餾和萃取精餾
              2024年3月14日發(作者:天才出于勤奮)共沸精餾、萃取精餾介?紹 一、什么是恒沸?精餾(共沸精餾) 在被分離的?物系中加入?共沸劑(或者稱共沸?組分),該共沸劑必?須能和物系?中一個或幾?個組分形成?具有最低沸?點的恒沸物?,以至于使需?要分離的集?中物質間的?沸點差(或相對揮發?度)增大。在精餾時,共沸組分能?以恒沸物的?形式從精餾?塔頂蒸出,工業上把這?種操作稱為?恒沸精餾。 下面以制取?
              時間:2024-03-14  熱度:17℃
            • 一種養肝保健茶及其制備方法
              2024年3月13日發(作者:作曲家)(19)中華人民共和國國家知識產權局 (12)發明專利申請 (21)申請號 CN2.4 (22)申請日 2012.06.06 (71)申請人 嚴豐麗 地址 324000 浙江省衢州市衢江區全旺鎮尖峰山村石門坎89號 (10)申請公布號 CN103181431A (43)申請公布日 2013.07.03 (72)發明人 嚴豐麗 (74)專利代理機構 深圳
              時間:2024-03-13  熱度:57℃
            • 地下水污染現狀及分布
              2024年1月4日發(作者:哈利波特與死亡圣器讀后感)地下水污染現狀及分布 ?中國地下水污染狀況圖?以國家地下水質量標準〔GB/T 14848-93〕為依據,將人類活動阻礙下的地下水質量現狀與天然條件下的地下水質量〝背景值〞相對比,確定地下水污染超標組分,按照單要素評判與多要素綜合評判相結合的原那么編制而成,反映了都市地下水污染程度和污染組分二方面內容。地下水污染程度分為污染嚴峻、污染中等和污染較
              時間:2024-01-04  熱度:3℃
            • 傾析法分離
              2023年12月21日發(作者:強弓硬弩)傾析法分離 傾析法是一種常用的分離技術,用于分離混合物中的組分。它基于不同組分在特定條件下的物理性質差異,通過將混合物與適當的溶劑或吸附劑接觸,使其分離為不同的相。本文將從傾析法的原理、應用和操作步驟等方面進行分析。 一、傾析法的原理 傾析法是基于溶液中溶質與溶劑或吸附劑之間的親疏性差異進行分離的。在溶液中,溶質的親疏性不同,會導致其在溶劑或吸附劑中的溶
              時間:2023-12-21  熱度:176℃
            • 傾析法如何操作
              2023年12月21日發(作者:表格換行怎么換)傾析法如何操作 傾析這種方法可用來分隔液體和固體,固體的密度必須比液體大得多,而且不溶于液體。將載有混合物的容器微傾,使液體流出而固體不倒出。這種方法必定有少量液體殘留在容器內。它的好處是方便簡單。 例如紅酒和酒石酸氫鉀與洗米水和米皆是這樣分隔。 傾析一般通過重力將密度大的固體緩緩沉積到混合物的底部,以此將固液分離。然而,當兩相密度差不大或固體沉
              時間:2023-12-21  熱度:17℃
            • 1.3μm InGaAsSb/GaAsSb 量子阱激光器有源區結構設計
              2023年12月13日發(作者:紅山口會議)-1.3μm InGaAsSb/GaAsSb 量子阱激光器有源區結構設計 何斌太;劉國軍;魏志鵬;劉超;安寧;劉鵬程;王旭 【摘 要】為了研制滿足光纖通訊需求的高性能半導體激光器,對壓應變 InGaAsSb /GaAsSb 量子阱激光器有源區進行了研究。根據應變量子阱能帶理論、固體模型理論和克龍尼克-潘納模型,確定了激射波長與量子阱材料組分及阱寬的關系。
              時間:2023-12-13  熱度:7℃
            • InGaAsGaAsP應變補償多量子阱MOCVD生長
              2023年12月13日發(作者:山河之書)-第42卷第4期2021年4月發光學報CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCEVol. 42 No. 4Apr. , 2021文章編號:1000-7032(2021)04-0448-07InGaAs/GaAsP應變補償多量子阱MOCVD生長王 旭,王海珠*,張 彬,王曲惠,范 杰,鄒永剛,馬曉輝(長春理工大學高功率半導體激光國家重點實
              時間:2023-12-13  熱度:5℃
            • ELV主要要求
              2023年12月2日發(作者:催收行業)-ELV主要要求: 在所有的汽車部件和材料中對有害物質的含量及使用進行限制 1.在車輛的 設計過程減少 有害物質的使用 2.2003年7月1日后,投放市場的車輛中確保不含Hg Cd Pb Cr(VI),, 組分 (豁免條例中規定的除外) 在所有部件和材料中禁用組分的限量 鎘 (Cd) ≤100ppm(0.01%) 汞 (Hg
              時間:2023-12-02  熱度:5℃
            • 第三章 相 律
              第三章  相  律3.1 本章學習要求1. 掌握相律的基本概念。2. 掌握純組分體系 Clapeyron(克拉貝龍)方程及 Clapeyron–Clausius(克拉貝龍-克勞修斯)方程,掌握相圖分析。3. 掌握理想雙液系的p-x、 T-x圖及相圖分析。了解其它二元體系的相圖及分析3.2 內容概要3.2.1 基本概念:相與相數:體系內部物理性質與化學性質完全均勻的部分稱為相(
              時間:2023-05-30  熱度:16℃
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