四象限InGaAs APD探測(cè)器的研究
2023年12月13日發(fā)(作者:海市蜃樓意思)-四象限InGaAs APD探測(cè)器的研究 王致遠(yuǎn);李發(fā)明;劉方楠 【摘 要】文章中設(shè)計(jì)的四象限InGaAs雪崩光電二極管(Avalanche Photo Diode,APD)的管芯結(jié)構(gòu)采用正入光式平面型結(jié)構(gòu),而材料結(jié)構(gòu)采用吸收區(qū)、倍增區(qū)漸變分離的APD結(jié)構(gòu),在對(duì)響應(yīng)時(shí)間、暗電流和響應(yīng)度等參數(shù)進(jìn)行計(jì)算與分析的基礎(chǔ)上,優(yōu)化了器件結(jié)構(gòu)參數(shù).試驗(yàn)結(jié)果表明,其響
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