電性熱點定位分析InGaAs

2023年12月13日發(fā)(作者：深藍華亭)

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電性熱點定位分析InGaAs

電性熱點定位分析

電性熱點定位（InGaAs，OBIRCH，EMMI）

一、InGaAs:

1.捉 Defect 的時間,比CCD 短 5 ~ 10 倍.

2.可捉到CCD捉不到的 Defect (可捉到微小電流及先進制程的

defect).

3.愈先進的制程愈需要InGaAs才能捉到 Defect 點.

4.可捉到較輕微的 Metal bridge 及微小電流 (CCD 完全捉不到).

二、OBIRCH:

利用激光束在器件表面掃描，激光束的部分能量轉(zhuǎn)化為熱量。如果互聯(lián)機中存在缺陷或者空洞，這些區(qū)域附近的熱量傳導(dǎo)不同于其他的完整區(qū)域，將引起局部溫度變化，從而引起電阻值改變ΔR

三、 EMMI :

From package to Silicon: 樣品不用Decap處理可直接進行分析? 厘清是否為封裝異常,短路介于20 mΩ ~ 1 GΩ間，都有機會可利用此設(shè)備抓到異常點

InGaAs，OBIRCH，EMMI區(qū)別詳見下表：

EMMI(SInGaAs

i CCD)

Yes

OBIRCH

THEMOS

mini(InSb)

Yes

注

Front Yes

side

Back

Yes

side

Yes

EMMI因鏡頭材質(zhì).對backside的分辨率較弱

OBIRCH只能以內(nèi)建電源進行

分析(1路)

平臺與鏡頭旋轉(zhuǎn)角度限制

Yes Yes Yes

Powe25V/100uA,10V/100mr限可外接 可外接

A

制

probe架4 4 4

設(shè)

可外接

2 分析速度

慢 快 快 快

THEMOS mini因只分析熱傳捕捉激光加熱后的電阻變光子 光子 熱(可不進行破壞) 導(dǎo)梯度,可透過金特性 化

屬或黑膠進行偵測

400nm900nm波長

～～NA 3.7um～5.2um

范圍

1150nm 1700nm

LED(uA級&mA級).ICMOSFET適合IC漏電.短路

漏電漏電IC

分析IC短路.電阻式漏電 PCB短路,LU失效定(mA漏電案件 位

級),LU(uA級)

失效定位

金屬遮金屬遮蔽.電蔽.電不易金屬遮蔽且不易加阻式缺阻式缺分析熱.多晶電阻或偏壓功耗較小.熱度低

陷.不陷

特性 電場的干擾

發(fā)光缺.不發(fā)陷 光缺陷

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