“反膠團法”合成的CdS半導體納米粒子的光譜性質研究

2024年3月17日發(作者：英雄事跡素材)

維普資訊

第２８卷，第７期　

光譜學與光譜分析　Ｖｏ１．２８，Ｎｏ．７，ｐｐ１５７３—１５７７　

２　０　０　８年７月　

Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ　ａｎｄ　Ｓｐｅｃｔｒａｌ　Ａｎａｌｙｓｉｓ　Ｊｕｌｙ，２００８　

“反膠團法＂合成的ＣｄＳ半導體納米粒子的光譜性質研究　

李恒達　，王慶偉　，翟宏菊　，李文連　

１．吉林師范大學化學學院，吉林四平１３６０００　

２．中國科學院長春光學精密機械與物理研究所，吉林長春１３００３３　

摘要反相膠束是指由介于油和水界面的表面活性劑分子，穩定、且均勻分散于連續油介質中的微液滴。　

它可以作為“微反應器”合成性能優良的ＣｄＳ粒子。文章研究了反相膠束的ｗ值（ｗ一［水１／Ｅ表面活性劑］）、　

ＥＣｄ２　］與Ｅｓ２一］的比例和Ｃｄ　和ｓ２一離子的起始濃度對ＣｚｌＳ納米粒子發光特性均有明顯影響。回流處理可　

以對ＣｚｌＳ納米粒子的表面進行修飾，可以使ＣｚｌＳ粒子的缺陷發光減弱并消失而顯著增強激子發射，同時可　

增大粒徑使激子發射峰位紅移，體現了明顯的量子限域效應；所得材料的室溫最大熒光量子效率高達ｌｌ　。　

關鍵詞ＣｚｌＳ納米顆粒；反膠團；微反應器；光譜性質　

中圖分類號：ＴＮ３Ｏ４．２；０４７２＋．３　文獻標識碼：Ａ　文章編號：ｉ０００—０５９３（２００８｝０７—１５７３—０５　

引　言　

１　ＣｄＳ納米粒子的光譜性質　

由于受量子限域效應等影響，半導體硫屬化合物納米材　

１．１　Ｗ對ＣｄＳ納米微粒光譜性質的影響　

料所呈現的不僅與尺寸相關的光電性質引起了人們極大的研　不同ｗ值（ｗ一［水］／Ｅ表面活性劑］），所得ＣｄＳ納米粒　

究興趣［】　］，而且它們在有機光發射二極管、光電池、傳感　

子吸收和發射光譜分別如圖ｌ（ａ）和圖１（ｂ）所示，峰位變化　

器、光催化、非線性光譜和激光等光電器件諸多領域顯示了　

見表１。可見，隨ｗ值增大，吸收峰發生紅移，說明納米粒　

巨大的應用潛力［４　，其中ＣｄＳ半導體納米材料更引起了人　

子的尺寸逐漸增加。根據有效質量近似原理【＿１１＿對不同ｗ時　

們的特別重視［７＿　］。由于ＣｄＳ納米粒子的量子尺寸和表面效　

制備的ＣｄＳ納米粒子的粒徑進行估算，其結果與透射電鏡表　

應使得它的光譜性質與體相材料存在很大的區別。隨著ＣｄＳ　

征結果吻合　吸收光譜中吸收肩峰的存在，說明納米粒子的　

納米粒子的尺寸減小，其吸收和發射光譜均發生藍移，這種　尺寸分布較窄，這與電鏡觀察到的結果完全一致。發射光譜　

藍移是量子尺寸效應的直接體現。同時，由于顆粒表面積增　呈現較寬的發射帶，體現了較大的表面效應，說明顆粒表面　

加，顆粒表面的空位和懸空鍵這樣的缺陷也顯著增加，這樣　

存在大量的缺陷，從而使處于激發態的電子在回到基態的過　

既可俘獲電子和產生缺陷發射，又可增加無輻射躍遷途徑，　程中，未與空穴復合形成激子發射，而是被表面缺陷俘獲、　

抑制了納米粒子的本征激子發射，結果是大大影響了ＣｄＳ納　產生了如圖所示的表面缺陷發射［】　。該發射帶隨ｗ值的增　

米粒子的光譜性質。　

大呈紅移趨勢。　

Ｔａｂｌｅ　１　Ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆＷ［Ｃｄｚ　］ｔｏＥＳ２一］ｒａｔｉｏ　ｏｎ　ｔｈｅ　ａｂｓｏｒｐｔｉｎｏ　ａｎｄ　ｅｍｉｓｓｉｏｎ　ｐｅａｋｓ　

收稿日期：２００８－０２—１０。修訂日期：２００８—０５—２０　

基金項目：國家自然科學基金項目（１０６０４０５４）資助　

作者簡介：李恒達，女，１９６４年生，吉林師范大學化學學院副教授　ｅ－ｍａｉｌ：ｌｈｄｗｄ＠１６３．ｃｏｍ　

＊通訊聯系人　ｅ－ａｍｉｌ：Ｗｑｗ６１　１２２３＠１　６３．ｃｏｍ　

維普資訊

維普資訊

第７期　

２．１回流處理過程　

光譜學與光譜分析　１５７５　

回流以后，微液滴內層的水分子被趕出，保證了修飾分子與　

納米粒子表面的直接作用，兩者相互作用增強，導致表面修　

飾作用更加有效、缺陷減少；其次，ＣＴＡＢ是陽離子表面活　

性劑，且極性基團較大，回流前與納米粒子表面結合作用不　

夠強，其在納米粒子的表面排列松散而不致密，使ＣｄＳ納米　

將Ｗ＝２４．４５時所合成的ＣｄＳ納米微粒樣品用相同組成　

但不含反應物的反相膠束稀釋一倍，在氮氣保護、保持９６　

℃條件下，分別回流１０　ｒａｉｎ，１，２，３　ｈ。對不同時間回流后　

含有ＣｄＳ納米粒子的反相膠束樣品進行熒光光譜的表征。　

２．２回流對ＣｄＳ納米粒子光譜特性的影響　

粒子表面仍然存在大量的缺陷。回流過程中，由于正己醇分　

子的羥基極性基團較小，可以嵌入ＣＴＡＢ分子之間的空隙，　

使修飾分子排列更為致密和修飾更為有效。另外，正己醇與　

ＣｄＳ微粒表面的相互作用較ＣＴＡＢ強ｒ２　，回流過程中由于　

界面剛性重新調整，可能使與ＣｄＳ納米粒子表面結合作用較　

回流處理前后ＣｄＳ納米粒子的發射光譜如圖４所示。由　

圖可見，ＣｄＳ納米粒子回流前后的發射光譜發生了很大改　

變。與回流前相比，回流后的ＣｄＳ納米粒子位于４５０　ｎｌｎ處　

的激子發射峰顯著增強，而５７０　ｎｌｎ處的缺陷發射峰消失。　

這主要是回流使ＣｄＳ納米微粒的晶化程度提高，減少了納米　

粒子表面缺陷，完善了納米粒子表面態，有效地提高了電子一　

空穴復合的概率，減少了帶間激發的電子被空穴俘獲的可能　

性，從而使缺陷發射減弱、激子發射得到增強。隨著回流時　

間的增加，激子發射強度不斷增強，發射峰位置發生紅移。　

這歸因于回流時間加長后，納米粒子表面逐漸完善，使激子　

發射得到增強；同時，回流也使納米粒子尺寸不斷增大，導　

致發射峰發生紅移。當回流時間大于３　ｈ后，表面態對發射　

光譜的影響已經很小，ＣｄＳ納米粒子激子發射強度不再增　

加。以硫酸奎寧為標準物質，根據文獻ｒ２。。的方法對回流３　ｈ　

的ＣｄＳ納米粒子進行了室溫下熒光量子產率測定，其最大熒　

光量子產率為ｌ１　。由此可見，回流處理是一種提高ＣｄＳ納　

米粒子激子發射強度和量子產率的有效手段。　

強的正己醇分子部分取代原有的ＣＴＡＢ分子，也將導致表面　

修飾分子排列更為致密，ＣｄＳ納米粒子的表面態更趨完善，　

使表面缺陷大大減少。當然，回流處理使ＣｄＳ納米粒子晶化　

程度提高也是造成激子發射增強的原因之一。通過ＸＲＤ、紅　

外光譜和ＸＰＳ表征對所提出的回流修飾機理進行了驗證。　

從ＣｄＳ納米粒子回流前后的ＸＲＤ圖可見（圖６），回流后六　

方相ＣｄＳ的（１１０）和（１０３）晶面的衍射明顯增強，并消除了回　

流前因衍射峰寬化而導致的重疊現象。同時，（１００）晶面衍　

射的增強導致原來中心位置位于２７。的衍射峰向低角度移　

動。這些變化均源于ＣｄＳ納米粒子晶化程度的提高。　

獸＿　ｕ１　

辯毒幕　

￣，　一、，、　Ｈｃｘａｒｔｏｌ●、一、一　

墨　

§　

驀　

ｉｇ．５　ＳｃｈｅｍａｔＦｉｃ　ｄｉａｇｒａｍ　ｆ　ｔｈｏｅ　ｅｎｈａｎｃｅｄ　ｓｕｒｆａｃｅ　ｂｅｄｅｃｋ　ｏｆ　

ｔｈｅ　ＣｄＳ　ｎａｎｏ－ｐａｒｔｉｃ　ｂｙ　ｃｉｒｃｕｍｆｌｕｅｎｅ　ｔｒｅａｔｍｅｎｔ　

６

一　。～　一　∞。　一

Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ／ｎｍ　

Ｆｉｇ．４　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＣｄＳ　ｎａｎｏ－ｐａｒｔｉｃ　ａｔ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　

ｃｉｒｃ￣ｌｌｅｎｃｅ　ｔｉｍｅｓ（Ｗ＝２４．４５）．Ｉｎｓｅｒｔ：　ｎＩｅ　ｅｍｉｓ－　

ｓｉｏｎ　ｓｐｅｃｔａ　ｏｒｆ　ｔｈｅ　ＣｄＳ　ｎａｎｏ－ｐａｒｔｉｄｅ　ｗｉｔｈｏｕｔ　ｃｉｒｃｕｍ－　

ｆｌｕｅｎｃｅ　ｐｒｏｃｅｓｓ　

ｌＯ　２Ｏ　３Ｏ　４Ｏ　５ｏ　６０　７０　８ｏ　

２０／（。）　

２．３　ＣｄＳ納米粒子表面修飾增強光譜性質的機制　

基于對回流處理增強ＣｄＳ激子發射現象的系統研究，我　

們提出了表面活性劑和助表面活性劑協同修飾機理。圖５為　

回流前后ＣｄＳ納米粒子表面修飾示意圖。回流前后ＣｄＳ納　

米粒子表面都應被ＣＴＡＢ和正己醇分子所包覆，但回流后位　

于ＣｄＳ納米粒子表面的正己醇分子較回流前明顯增多，且　

ＣＴＡＢ（十六烷基三甲基溴化銨）和正己醇排列得更為整齊、　

Ｆｉ蛋６　ＸＲＤ　ｐｅａｋｓ　ｏｆ　ＣｄＳ　ｎａｎｏ－ｐａｒｔｉｄｅ（Ｗ－－２４．４５）ｗｉｔｈ（口）　

ａｎｄ　ｗｉｔｈｏｕｔ（　）ｃｉｒｃｍｎｆｌｕｅｎｃ　ｔｒｅａｔｍｅｎｔ　

將ｗ＝２４．４５時制得的ＣｄＳ納米粒子進行回流，比較回　

流前后的紅外光譜，可以表征納米微粒表面的修飾情況。由　

中紅外圖譜（圖７）可見，由于ＣｄＳ納米粒子的表面同時存在　

ＣＴＡＢ和正己醇，因此回流前后的紅外光譜中均可發現兩者　

致密，兩者的協同修飾作用使它們對ＣｄＳ納米粒子的表面修　

飾更為有效。下面分析這一修飾作用增強的原因。首先，回　

流前微液滴內層除了納米粒子以外，還有一部分水分子，水　

的特征振動峰，但回流前后紅外光譜的峰形和峰位明顯不　

同。回流前，中紅外區域振動峰的位置和形狀與ＣＴＡＢ的峰　

位及形狀類似，位于２　８５２和２　９２３　ｃＩｎ＿１的紅外振動峰是由　

分子的存在干擾了表面活性劑和納米粒子表面的相互作用。　

ＣＴＡＢ分子中ＣＨｚ的對稱和反對稱伸縮振動引起；回流后，　

維普資訊

１５７６　光譜學與光譜分析　第２８卷　

仔紅外區域的振動峰位置和形狀與正己醇的相近，位于　

己醇分子中ＣＨｚ和ｃＨ３對稱和反對稱伸縮振動。這一變化　

２　８５３，２　８６９，２　９２３和２　９５５　ｃＩｎ　的紅外振動峰分別源自正　

說明，回流前后包覆在ＣｄＳ微粒表面的ＣｒＡＢ與正己醇的　

相對比例發生了變化，回流后ＣｄＳ顆粒表面的正己醇量提　

高。　

３結論　

研究發現，反相膠束的Ｗ值、［ｃｄ　］與Ｅｓ２一］的比例和　

Ｃｄ。。｝和Ｓ２一的起始濃度對ＣｄＳ納米粒子發光特性均有明顯影　

響。吸收和發射光譜表明，在ｗ一２４．４５，ＥＣｄ２｝。－ｌｉＥＳｚ－］一１　

時所得ｃｄｓ為最均一尺寸。在此條件下，選擇起始Ｅｒ￣ｌ２　］和　

４　ｏ（１０　３６００　３２０Ｏ　２　８（）ｏ　２　４（）ｏ　

ＥＳ２一］為４．２３×１０　ｔｏｏｌ?Ｌ　時所得ＣｄＳ納米粒子呈現最　

Ｗａｖｅｎｕｍｂｅｒ／ｃｍ一　

強的激子發射。通過回流處理可以對納米粒子的表面進行修　

№７　ＦＩＩＲ　ｓ０￣ｔｒａ　ｏｆ　ＣｄＳ　ｎａｎｏ－ｐａｒｔｉｃｌｅ　ｔｈ　ａｎｄ　ｗｉｔｈｏｕｔ　

飾和納米微粒的表面態優化，從而可很好地調控其發光特　

ｃｉｌ　珈ｎｌＩｌ蛐ｔｒｅａｔｍｅｎｔ，ｎ：ｗｉｔｈｏｕｔ　ｃｉｒｃｕｎｄｌｕｅｎｃ　ｔｒｅａｔ—　

性。修飾可減弱并消失ＣｄＳ粒子的缺陷發射而顯著增強激子　

ｍｅｎｔ，６：ｂｙ　ｄｒＱｉｌｎ￣ｎｅｎｃ　ｔｒｅａｔｍｅｎｔ　ｆｏｒ　３　ｈ；ｃ：　

發射，修飾可增大粒徑使激子發射峰位紅移，體現了明顯的　

ＣＩ＇ＡＢ；ｄ：ｎ－ｈｅｘｙｌ　ａｌｅｏｌｏｌ　

量子限域效應，所得材料的室溫最大熒光量子產率高達　

１１％　

參　考　文　獻　

［１］ＨｅｎｇｌｅｉｎＡ　Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，１９８９，８９：１８６１．　

［２］ＡｌｉｖｉｓａｔｏｓＡ　Ｐ．Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅ．ｍ，１９９６，１００；１３２２６．　

［３］Ｗｅｌｌｅｒ　Ｈ．Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ　ＥｎｇＬ，１９９３，３２：４１．　

［４］Ｎａｎ＆，Ｊ，Ｎａｒａｙａｎ　Ｋ　Ｓ，Ｍｕｒｔｈｙ　Ｂ　Ａ，ｅｔ　ａ１．Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．ＬｅｔＬ，１９９８，７２：１３３５．　

［５］Ｃｏｌｖ／ｎ　Ｖ　Ｌ，Ｓｃｈｌａｍｐ　Ｍ　Ｃ，Ａ／ｉｖｉｓａｔｏｓ　Ａ　Ｐ．Ｎａｔｕｒｅ，１９９４，３７０；３５４．　

［６］Ｄａｂｂｏｕｓｉ　Ｂ　Ｏ，Ｂａｗｅｎｄｉ　Ｍ　Ｇ，Ｏｎｉｔｓｕｋａ　Ｏ，ｅｔ　ａ１．Ａｐｐ１．ＰｈｙＳ．Ｌｅｔｔ．，１９９５，６６：１３１６．　

［７］Ｃｏｌｖｉｎ　Ｖ　Ｌ，Ｓｏｂ［ａｍｐ　Ｍ　Ｃ，Ａｌｏｖｉｓａｔｏｓ　Ａ　Ｐ．Ｎａｔｕｒｅ，１９９４，３７０：３　５４．　

［８］ＡｎｄｒｅａｓＫ，ＤａｎｉｅｌＬ　Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏａｎａ１．Ｃｈｅｍ．，１９９６，４１　８：７３．　

［９］Ｓｍｙｎｔｙｒｍ　Ｖ，Ｇｏｌｏｖａｎｏｖ　Ｖ，Ｋａｃｉｕｌｉｓ　Ｓ，ｅｔ　ａ１．Ｓｅｎｓｏｒｓ，Ａｃｔｕａｔｏｒｓ　Ｂ－Ｃｈｅｍｉｃａｌ，１９９５，２５（１－３）：６２８．　

Ｅ１ｏ３　ＷＡＮＧＨａｎ－ｈｕｉ，ＹＵ　Ｊｉａ－ｌｉａｎ，ＨＵＡＮＧ　Ｊｉ—ｐｉｎｇ，ｅｔ　ａｌ（王涵慧，俞稼鐮，黃季平，等）．ＰｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃＳｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄＰｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ（感光科　

學與光化學），１９９５，１３：４８．　

Ｅｌ１３　Ｂｒｕｓ　Ｌ　Ｅ　Ｊ．Ｃｈｅｍ．ＰｈｙＳ．，１９８４，８Ｏ：４４０３．　

Ｅ１２３　Ｈａｏ　Ｈ　Ｅ，Ｓｕｎ　Ｈ　Ｐ，Ｚｈｏｕ　Ｚ，ｅｔ　ａＬ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ｏｆ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，１９９９，１１：３０９６．　

Ｅ１３３　Ｌｉｖｅｄ　Ｖ　Ｔ，Ｒｏｓｓｉ　Ｍ，ＤＡｒｉｒｇｏ　Ｇ，ｅｔ　ａＬ　Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ．Ａ，１９９９，６９：３６９．　

Ｅ１４３　Ｃｈｅｒ￣ＧＸ，ＳｈｅｎＦ，ＹａＩ１ｇＬＦ，ｅｔ　ａ１．ＭａｔｅｒｉａｌｓＣｈｅｍ．ａｎｄＰｈｙｓ．，１９９８，５６：９７．　

Ｅｌ５］ＫｏｒｔａｎＲ，ＨｕｌｌＲ，ＯｐｉｌａＲＬ，ｅｔ　ａＬ　Ｊ．Ａ札Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９９０，１１２：１３２７．　

［１６３　ＰｅｎｇＭＣＳｃｈｌａｍｐ，ＫａｄａｖａｎｉｃｈＡＶ，Ａ／ｉｖｉｓａｔｏｓＡＰ．Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅ．ｍＳ０ｃ．，１９９７，１１９：７０１９．　

Ｅ１７３　Ｇａｏ　Ｍ　Ｙ，Ｋｉｒｓｔｅｉｎ　Ｓ，Ｍｏｈｗａｌｄ　Ｈ，ｅｔ　ａＬ　Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｂ，１９９８，１０２：８３６０．　

Ｅ１８３　ＨａｎＭＹ，ＣａｎＬＭ，Ｈｕａｒ￣Ｗ，ｅｔ　ａ１．Ｔａｌａｎｔａ，１９９８，４５：７３５．　

［１９３　ＨａｎＭＹ，ＧａｎＬＭ，ＨｕａｎｇＷ，ｅｔ　ａＬ　ＣｈｅｉｍｓｔｙｒＬｅｔｔｅｒ，１９９７，（８）：７５１．　

Ｅ２ｏ３　ＤａｗｓｏｎＷＲ，ＷｉｎｄｓｏｒＭＷ．Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．，１９６８，７２：３２５１．　

Ｅ２１３　ＣｕｒｉｒＬ，ＡｇｏｓｔｉｎａｏＡ，ＭａｒｉｎａＬ，ｅｔ　ａＬ　Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅ．ｍＢ，２０００，１０４：８３９１．　

維普資訊

第７期　光譜學與光譜分析　１５７７　

Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　Ｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄ　ＣｄＳ　Ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓ　ｂｙ　Ｒｅｖｅｒｓｅ　Ｍｉｃｅｌｌｅ　Ｍｅｔｈｏｄ　

ＬＩ　Ｈｅｎｇ－ｄａ１，ＷＡＮＧ　Ｑｉｎｇ－ｗｅｉｈ，ＺＨＡＩ　Ｈｏｎｇ－ｊｕ１，ＬＩ　Ｗｅｎ－ｌｉａｎ１’。　

１．Ｓｃｈｏｏｌ　ｏｆ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ｉｎ　Ｊｉｌｉｎ　Ｎｏｒｍａｌ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｉｐｉｎｇ　１３６０００，Ｃｈｉｎａ　

２．Ｃｈａｎｇｃｈｕｎ　Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ　Ｏｐｔｉｃｓ，Ｆｉｎｅ　Ｍｅｃｈａｎｉｃｓ　ａｎｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｃｈｉｎｅｓｅ　Ａｃａｄｅｍｙ　ｏｆ　Ｓｃｉｅｎｃｅｓ，Ｃｈａｎｇｃｈｕｎ　１３００３３，Ｃｈｉｎａ　

Ａｂｓｔｒａｃｔ　Ｍｉｃｅｌｌｅ　ｓｙｓｔｅｍ　ｗｉｔｈ　ｒｅｖｅｒｓｅ　ｐｈａｓｅ（ｗａｔｅｒ／ＣＴＡＢ／ｗｈｅｘｙｌ　ｌａｏｈｏｌｃ／ｗｈｅｐｔｎｅ）ｉａｓ　ａ　ｗｅｅｎｉｅ　ｌｉｑｕｉｄ－ｇｌｏｂｅｌｅｔ　ｏｆ　ｓｕｒｆａｃｅ　ａｃ—　

ｔｉｖｅ　ａｇｅｎｔ　ｍｏｌｅｃｕｌｅ　ｗｈｉｃｈ　ｃａｎ　ｂｅ　ｓｔａｂｌｙ　ａｎｄ　ｕｎｉｏｒｍｌｙ　ｄｉｆｓｐｅｒｓｅｄ　ｉｎ　ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ　ｏｉｌ　ｍｅｄｉｕｍ．Ｔｈｅ　ｍｉｃｅｌｌｅ　ｓｙｓｔｅｍ　ｉｔｈ　ｒｅｖｅｒｓｅ　ｗｐｈａｓｅ　

ｃａｎ　ｗｏｒｋ　ａｓ　ａ“ｍｉｃｒｏ－ｒｅａｃｔｏｒ”ｔＯ　ｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅ　ＣｄＳ　ｎａｎｏ－ｐａｒｔｉｃｌｅ　ｉｗｔｈ　ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ．Ｉｎ　ｔｈｅ　ｐｒｅｓｅｎｔ　ａｒｔｉｃｌｅ　ｃｏｎｓｉｄｅｒｉｎｇ　ｔｈｅ　

ｅｆｆｃｅｔｓ　ｏｆＷ　ｖａｌｕｅ（Ｗ＝［－ｗａｔｅｒ￣／［ｓｕｒｆａｃｅ　ａｇｅｎｔ］）ｏｆ　ｔｈｅ　ｉｍｃｅｌｌｅ　ｓｙｓｔｍｅ　ｉｗｔｈ　ｒｅｖｅｒｓｅ　ｐｈａｓｅ，ｗｅ　ｏｂｓｅｒｖｅｄ　ｔｈａｔ　ｔｈｅ　ｒａｔｉｏ　ｏｆ［－Ｃｄ２　］　

ｎａｄ［ｓ２一］ｉｏｎｓ　ｔＯ　ｔｈｅ　ｏｒｉｇｉｎａｌ　ｏｃｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｄ２＋ａｎｄ　Ｓｚ—ｉｏｎｓ　ｃａｎ　ａｆｆｃｅｔ　ｔｈｅ　ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ＣｄＳ　ｎａｎｏ－ｐａｒｔｉｃｌｅ＿　

Ｕｓｉｎｇ　ｒｅｇｕｒｇｉｔａｎｔ　ｔｒｅａｔｍｅｎｔ　ｐｒｏｃｅｓｓ　ｔｈｅ　ｓｕｒｆａｃｅ　ｏｆ　ＣｄＳ　ｎａｎｏ－ｐａｒｔｉｃｌｅ　Ｃａｎ　ｂｅ　ｍｏｄｉｆｉｄｅ。ａｎｄ　ａｓ　ａ　ｒｅｓｕｌｔ　ｔｈｅ　ｄｅｆｅｃｔ　ｅｍｉｓｓｉｏｎ　ｗａＬｓ　ｒｅ—　

ｄｕｃｅｄ　ａｎｄ　ｅｖｅｎ　ｄｉｓａｐｐｅａｒｅｄ，ｂｕｔ　ｅｘｃｉｔｏｎ　ｅｍｉｓｓｉｏｎｓ　ｍａｒｋｅｄｌｙ　ｉｎｃｒｅａｓｅｄ．Ｏｎ　ｔｈｅ　ｏｔｈｅｒ　ｈａｎｄ，ａ　ｒｅｄ－ｓｈｉｆｔ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｅｘｃｉｔｏｎ　ｅｍｉｓｓｉｏｎ　

ｐｅａｋ　ｗｉｔｈ　ｔｈｅ　ｉｎｃｒｅａｓｅ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｐａｒｔｉｃｌｅ　ｓｉｚｅ　ｗａｓ　ｏｂｓｅｒｖｅｄ，ｉｎｄｉａｃｔｉｇｎ　ｃｏｎｓｉｄｅｒａｂｌｅ　ｑｕａｎｔｕｍ　ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ　ｅｆｆｅｃｔ．Ａ　ｍａｘｉｍｕｍ　ｑｕａｒｔ—　

ｔｕｍ　ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ　ｏｆ　１１　ｆｏｒ　ｔｈｅ　ｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄ　ＣｄＳ　ｎａｎｏ－ｍａｔｅｒｉａｌ　ｗａｓ　ａｃｈｉｅｖｅｄ．　

Ｋｅ￣，ｏｔＣｓ　ＣｄＳ　ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓ；Ｒｅｖｅｒｓｅｍｉｃｅｌｌｅ＋Ｍｉｃｒｏ－ｒｅａｃｔｏｒ；Ｓｐｅｃｔｒａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｙ　

（Ｒｅｃｅｉｖｅｄ　Ｆｅｂ．１０，２００８；ａｃｃｅｐｔｅｄ　Ｍａｙ　２０，２００８）　

＊Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ　ａｕｔｈｏｒ