max
(
r
纖為軸中心,半徑為r0的圓形區域中入射光線將成為束縛光線,而r>r0區域的光線都不能成為束縛光線,因而2 (2.5-16) 束縛光線的功率為
p
?
πr0
I0cos?e
?122 式中的r0是方程
sin
n
1
(
r
)
?
n
2
?
? (2.5-17)
2sin?1?的解,如果纖芯折射率為
2
2
r
? 則由(2.5-17)式解得
r
0
?
a
[
1
?
2
] (2.5-18)
n12?n1(r)?n1[1?2?()]
22a顯然,當
sin
?
?
n
1
2
? 時,r0=0。這時所有的光線都將成為折射光線,束縛光線功率為零。相應的光源與光線?r02間的耦合效率為
?1???sinn12???2?a
???
?
?1 (2.5-19)
???sinn12??0??
由(2.5-18)和(2.5-19)式可以看出,僅當θ= 0,即準直光束正入射到光纖端面時,光源與光纖的耦合效率才等于1。
(2.5-15)和(2.5-19)式說明,如果用準直光束照射光纖端面,則其耦合效率由光束的入射方向決定。初看來?
max似乎與光纖的數值孔徑無關,但實際上耦合效率與數值孔徑NA仍有關系。這是因為準直光束的入射角 的最大允許值是由數值孔徑決定的。數值孔徑NA較大,則?
max 較大,可以允許準直光束的入射角大一些。對于梯2度光纖,如果
NA
?
n
1
2
?
n
2
1
2
? 大一些,則在θ一定時,由(2.5-18)式可以看到r0就大一些,耦合效?
n率就高一些。這與用朗伯光源照射時的情形是類似的,不同的是不是簡單的與成比例。
2必須說明的是,光源的面積As如果大于光纖纖芯截面積
π
a ,則光源與光纖間的耦合效率還應乘上一個因子
π
a
2
A
s 。這是因為凡是纖芯端面范圍之外的區域,光源所發出的光都不能成為纖芯中的束縛光線。
2.5.3 提高光源耦合效率的措施
實際的光源其發光面往往比光纖纖芯截面大得多。如果將這種光源緊貼光纖端面放置,則大部分光能量不能進入光纖纖芯,因而光源與光纖端面之間的實際耦合效率很低,造成了光源發光功率的很大浪費。因而在光源發光面與光纖端面之間加裝某種聚焦裝置以提高耦合效率是十分必要的措施。下面分幾種情形加以討論
1. 準直光束照射情形
一半徑為
r
s
?
a 的準直光束照射到光纖端面上,如果在光源與光纖端面之間加裝一薄透鏡,透鏡的半徑等于光束的半徑rs,可以將準直光束聚焦于光纖纖芯端面上的Q點,如圖2-24a所示。只要透鏡對光纖纖芯的張角θs不超過光纖端面所允許的最大入射角
?
max ,則準直光束內所有的光線都將成為纖芯中的束縛光線。對于階躍光?122rs?ftan?s?max?sinn1?n2
1?1?n?n?s?第14頁/共15頁f
??r?n2?n212?2221?2???
纖 。假設透鏡焦距為f,為了使準直光束聚焦于光纖端面,則應有
由
?
?
? 這一條件,可以推得透鏡焦距應滿足條件 (2.5-20)
smax
當上述條件滿足時,半徑為rs的準直光束將全部進入纖芯并成為束縛光線。光源與光纖之間的實際耦合效率將22提高到未加透鏡時的
rs
a 倍
?122如果準直光束以傾斜角θ0入射到透鏡上,如圖2-24b所示。則當光纖端面上光線的最大入射角
?
max
?
sin
n
1
?n21時,光束中所有光線都將成為束縛光線。顯然光束傾斜角不能太大,否則光線將不可能成為束縛光線,具體地2?n2?2?1?sin說,應滿足條件
?
0
?
n
1
?
1
?
2
?? (2.5-21)
n1??
當這些條件滿足時,同樣可以提高耦合效率到未加透鏡時的倍。
第三章 薄膜波導和帶狀波導的模式理論
本章采用經典電磁理論分析薄膜波導和帶狀波導中光波的傳播問題,也就是所謂的光波導的模式理論。
3.1 均勻薄膜波導
均勻薄膜波導的結構如圖3-1所示。它由三層均勻介質構成,三層介質的折射率分別為n1,n2,n3,而且n1大于和n2和n3。本節將從麥克斯韋方程出發分析光波的傳播特性。
3.1.1 TE模
將(3.1-2b)式兩邊對x求導,并將(3.1-2)式的其余兩個方程代入,可以得到
dEydx22圖3-1 均勻薄膜波導的結構
?(k0n22??2)Ey?0
(3.1-4)
式中k2??2?0?0,?n2??r。構成波導三層介質折射率分別為n1,
n2,
n3,而且n1大于n2和n3,為了0?保證電磁波能量主要集中在波導芯層(折射率為n1)中傳播,方程(3.1-4)在芯層、襯底(折射率為n2)、敷層(折射率為n3)中的解可以分別寫成
E1y?E1cos(kxx??)e?j?z
|x|?a (3.1-5a)
E2y?E2e?2(x?a)e?j?z
x??a (3.1-5b)
E3y?E3e??3(x?a)e?j?z
x?a (3.1-5c)
式中kx,?2,?3,?是場量的特征常數,E1,E2,E3是三個積分常數。kx是芯層中場量在x方向的相位常數,?2、?3分別是襯底和敷層中場量沿x方向的衰減常數。將(3.1-4)式的解寫成上式就意味著在芯層中場量在x方向呈駐波分布,解式中的kx和?共同決定駐波場場量的波腹和波節位置,kx則決定了兩個波節間的距離。在襯底和敷層中場量隨離開界面的距離按指數規律迅速衰減,而?2和?3則決定了場量衰減的快慢。這樣的場結構可保證場能量集中在波導芯層及芯層與襯底及敷層的界面附近的薄層中,并沿著z軸方向傳播。這就是波導中的傳播模式或導波模式。
對比(3.1-4)式和(3.1-5)式,很容易得到場量的特征參量kx、?2、?3、?與各層介質的折射率n1、n2、n3之間的關系,即
第15頁/共16頁
kx??222?k0n1 (3.1-6a)
2??
?a2222?k0n2 (3.1-6b)
222??2?k0n3 (3.1-6c)
?a3將(3.1-5)式中的Ey代入(31-2a)及(3.1-2b)式,即可得到三個區域的磁場分量H1x、H2x、H3x及H1z、H2z、H3z,即
H1x??H2x?????????0??0H3x??kxxj??H02z0?E1y???E2y? (3.1-7a)
??E3y???j?zH1z?E1sin(kxx??)e??a2E2yj??0a3E3yj??0H3z?????????? (3.1-7b)
(3.1-5)式中的三個積分常數,也就是場量的振幅值E1,E2,E3由x??a面上的電磁場邊界條件及激勵條件決定。
在兩種不同介質的分界面上,電磁場邊界條件是電場強度和磁場強度的切向分量連續。對圖3-1所示的薄膜波導,則具體化為
?1z?H2z 在x??a面:
E1y?E2y?;H?1z?H3z 在x?a面:
E1y?E3y?;H將(3.1-5)式中的E1y、E2y、E3y和(3.1-7)式中的H1z、H2z、H3z代入上述邊界條件,得到
E1cosk(xa??)?E2 (3.1-8a)
E1kxsin(kxa??)?E2?2 (3.1-8b)
E1cos(kxa??)?E3 (3.1-8c)
E1kxsin(kxa??)?E3?3 (3.1-8d)
這些方程規定了E1、E2、E3之間的關系,它們的完全確定還有賴于波導的激勵條件,即輸入功率。
從(3.1-8)式中消去E1、E2、E3,可以得到
kxtan(kxa??)??2 (3.1-9a)
kxtan(kxa??)??3 (3.1-9b)
(3.1-9)式又可以寫成
kxa???tan?1?2kx?1?p?
kxa???tan?3kx?q?
式中p = 0, 1, 2, …;q = 0, 1, 2, …。將上兩式分別相加和相減,即可得到
kxd?tan?1?2kx?tan?1?3kx?mπ (3.1-10a)
第16頁/共17頁
(3.1-10b)
2式中d?2a是波導芯層的厚度,m = p + q = 0, 1, 2,
…,n = p – q =
…, -2, -1, 0, 1, 2, …,但實際上n只取0和1兩個數即可。從(3.1-5a)式可以看到當n取0, 1之外的其它任何正負整數時,都不會給出新的結果。而且在m = p + q取偶數時,n取零,芯層內的場量Ey在x方向按余玄函數分布;當m = p + q為奇數時,n取1,芯層內場量Ey在x方向按正弦函數分布。也就是說,可以將芯層內的場量寫成
2kx2kx??1tan?1?2?1tan?1?3?nπE1y?E1cos(kxx??)e和
?j?z (3.1-11a)
E1y?E1sin(kxx??)e式中
??12tan?1?j?z (3.1-11b)
?3kx?2kx?12tan?1
這時(3.1-11a)式所給出的場解對應(3.1-10a)式中的m取偶數,而(3.1-11b)式給出的場解對應(3.1-10a)中的m取奇數。
(3.1-10a)式成為均勻薄模波導的特征方程,將它和(3.1-6)式中的三個方程聯立求解,即可求得場量的四個特征參量kx,a2,a3,?。有時也把這四個方程統稱為特征方程。求出kx,?2和?3以后即可由(3.1-10b)式求得?,從而得到TE模的場量。
在方程(3.1-10a)式中,m從零開始每取定一個值,都可解的一組kx,?2,?3,?,?值。將其代進(3.1-5)式和(3.1-7)式即可得到一組電磁場量,場量的幅度值E1,E2,E3由激勵條件及邊界條件(3.1-8)式決定。我們稱由這一組電磁場量所構成的電磁波為一個沿z方向傳播的TE電磁場模式。由于(3.1-10a)式中的每一個m值都對應著一個TE模式,所以將其記為TEm模,腳標m即為(3.1-10a)式中的m值。稍后我們將看到模式序號m的物理含義。
3.1.2 TM模
采用類似的方法,可以求得(3.1-3)式在波導中的解,也就是TM模式的電磁場分量,其橫向磁場Hy的表達式為
?cos(kxx??)?H1y?H1??e?j?z
|x|?a (3.1-12a)
?sin(kxx??)?H2y?H2ea2(x?a)
x?a (3.1-12b)
H3y?H3e?a3(x?a)
x?a (3.1-12c)
式中kx,a2,a3,?與各層介質折射率的關系仍由(3.1-6)式給出。
利用(3.1-3)式還可求得各區域的電場分量E1x,E2x,E3x及E1z,E2z,E3z,并利用x??a面上的電磁場邊界條件,推得TM模式的特征方程為
kxd?tan??12tan?1?2n122kxn2?tan?12?1?3n122kxn3?mπ (3.1-13a)
(3.1-13b)
?1?2n122kxn2tan?1?3n122kxn3式中m=0,1,2,?。
與TE模類似,在(3.1-12a)式中取上面的函數cos(kxx??)時,m取偶數,取下面的函數sin(kxx??)時,m取奇數。每取定一個m值,可以將(3.1-13a)與(3.1-6)式聯立解得一組TM場解,我們稱為一個TM模式,記為TMm模。
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3.1.3 傳播模和輻射模
在特征方程(3.1-10a)式和(3.1-13a)式中,模式序數m都可以取0,1,2,…等一系列的整數。這就意味著在波導中存在一系列的TE模和TM模,但并不是m取任何整數所對應的模式都可以在波導中傳播。如果特征參量?2和?3都是正實數,則襯底和敷層中的場隨離開芯層表面的距離按指數規律迅速衰減。在?2和?3都是正實數的條件下,z方向的相位常數?必是正實數,這表明場量在z軸方向呈無衰減的正弦行波特性。滿足這些條件時,我們就稱這樣的模式為傳播模式或導波模式。如果?2和?3中有一個是虛數,或者兩個都是虛數,則襯底或敷層中的場在x軸方向將呈行波特性,這就是說電磁波能量在向z軸方向傳播的同時又在襯底或敷層中形成沿x軸方向的輻射。顯然這樣的模式不可能沿z軸方向長距離傳播,這種模式就稱為輻射模式。
由(3.1-6)式可以看到:
222222
a2??2?k0n2?,a3??2?k0n3 如果n2
> n3,在同樣的β,k0值條件下,首先是a2可能成為虛數,即首先出現襯底輻射。而β,a2,a3都是正實數的條件則是
k0n2???k0n1 (3.1-14)
這就是傳播模式或導波模式相位常數的取值范圍。這與用幾何光學理論得到的束縛光線條件
n2????k0?n1
是完全一致的。如果?即輻射條件為
?k0n2,由(3.1-6)式可以看到a2成為虛數,這時電磁場即成為輻射模。0???k0n2 (3.1-15)
需要說明的是,對輻射模,β可以在(3.1-6)式范圍內連續取值,即輻射模譜是連續的。導波模的β在(3.1-14)式所規定的范圍內只能取離散的值,(3.1-10a)?0,?1,?2,?等腳標對應特征程式和(3.1-13a)式中的m的取值,即傳播模或導波模譜是離散的。
后面我們將看到,在波導結構參量a,n1,n2,n3和工作波長? = 2? / k0確定的條件下,一個序號為m的模式能否傳播將完全取決于m的大小。m較小的模式稱為低階模, m較大的模式稱為高階模。在確定的波導中,低階模容易滿足傳播條件而高階模則往往不能傳播。假設在一個確定的波導中有m個TE模和m′個TM模滿足傳播條件,則波導中的電磁波總可以表示為
mm?lTElE??aEl?1??bEll?1TMl??[a(?)E0k0n2TE?b(?)ETM]d? (3.1-16)
上式表明,波導中的任何可以存在的電磁場總可以表示為若干個TE模式和TM模式以及具有連續譜的輻射模的疊加。當然不排除展開式中的al, b1,
a(β), b(β)中某些展開系數為零。例如在單模波導中,除了在激勵端可能存在多個模式以外,在穩定狀態下就只有一個模式,即(3.1-16)式中只有一個最低階模的系數不為零。
3.1.4截止參數
如果波導中某個模式開始出現襯底輻射,我們稱這個模式截止。顯然,某個模式截止的條件
2a2??222?k0n2?0
即
??k0n2
將上述截止條件代入(3.1-6)式,可得截止狀態的其它特征參數
kx?k02n12?n2?;?a3?k022n2?n3
將其代入TE模式的特征方程(3.1-10a)式,可得截止狀態時的特征方程
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k0?22?1n1?n22a?mπ?tan???22?n2?n3?2?n12?n2?
注意到k0?2π?,將某個模式截止時的波長記為??c,則TEm模的截止波長為
?c?24πan12?n2?1????mπ?tan2n2?2n32n12?n2???? (3.1-17)
顯然,當m?0時,也就是TE0模式,其截止波長是最長的,其值為
?c(TE0)?24πan12?n2??1?tan??2n2?2n32n12?n2???? (3.1-18)
將截止條件?2?0,???k0n2,代入TM模的特征方程(3.1-13a)式,得到
2n2k0n12?2a?mπ?tan?1?(?n1)2?n3?22?n2?n3?2?n12?n2?
TMm模的截止波長則為
?c?24πan12?n2?n1mπ?tan?1?()2?n3?2n2?2n32n12?n2???? (3.1-19)
TM0模的截止波長則為
?c(TM0)?24πan12?n2?n1?1tan?()2?n3?2n2?2n32n12?n2???? (3.1-20)
比較(3.1-20)式和(3.1-18)式,由于n1?n3,所以必有
?c(TE0)??c(TM0) (3.1-21)
這說明TE0模是截止波長最長,或截止頻率最低的模式。在波導理論中,稱截止波長最長的模式為波導中的主模式。這就是說,對于襯底和敷層折射率不同的非對稱薄膜波導,其主模式為TE0模。如果n2
= n3,即襯底和敷層為同一種介質構成,則TE0模和TM0模的截止波長都是無限長,即它們不截止,同為波導的主模。
從(3.1-17)式和(3.1-19)式可以看到,當波導的結構參量a,
n1,
n2,
n3確定以后,每一個TE模和TM模的截止波長是完全確定的。不同的模式截止波長不同,模式序號m越大,截止波長越短,或者說截止頻率越高。只有工作波長λ比截止波長λ
c短的那些模式才可能在波導中傳播。這是因為當工作波長λ剛好與截止波長λc相等時,a2
= 0,而當λ < λ
c時,意味著k0增大,從(3.1-6)222式可以看出?將增大,從而滿足a2??2?k0n2?0的條件,波在襯底和敷層中按離開界面的距離呈222指數衰減的特性。反之,如果λ > λ
c,則a2??2?k0n2?0,該模式將成為輻射模。
3.1.5 單模傳輸和模數量
由上面的討論,可以得到這樣的結論,如果工作波長λ比主模式(TE0模)的截止波長要短,但比次最低階模式(截止波長僅比主模式短,但比其余所有模式的截止波長要長)的截止波長要長,則在此波導中只有主模才能傳播,其余所有的模式都是截止的。這就是波導中的單模傳輸條件。單模傳輸是波導理論中的一個極為重要的概念。對于n2 ≠ n3的非對稱薄膜波導,主模式為TE0模,而次最低階模是TM0模。因而非對稱薄膜波導中嚴格的單模傳輸條件為
?c(TM0)????c(TE0) (3.1-22)
實際的光波導n1,
n2,
n3相差不大,因而λ
c
( TE0
)與λ
c
( TM0
)的差別也不會太大,嚴格滿足(3.l-22)式的條件將導致單模傳輸的頻帶很窄,因而并無太大的意義。在工程實際中,可以
第19頁/共20頁
認為TE0模和TM0模的截止波長近似相等,而將單模傳輸條件放寬為
?c(TE1)????c(TE0) (3.1-23)
此種條件下TE0模和TM0模都可以傳播。
對于給定的波導,如果工作波長λ縮短,則波導中可以傳播的模式數量將增加。如果波導中有多個模式可以傳播,則估算波導中可傳播的模式數量是必要的。波導中可以傳播的模式數量可以從截止時的特征方程,及傳播條件λ < λ
C得到。對TE模.由
???24πan12?n22n2??1mπ?tan????2n32n12?n2????
可以看到,可傳播的TE模的模式序號 m 必須滿足
m?4a?2n12?n2??1?tan??π?122?n2?n3?2?n12?n2? (3.1-24a)
對于TM模,則其模式序號 m′ 應滿足
m??4a?n12?2n2?1πta?1?(n?n1)2?n2?22?n2?n3?
2?n12?n2? (3.1-24b)
假設上兩式右邊的式子計算出的數字的整數部分為m和m′,則波導中,TE0, TE1,
…,TEm-1, 和TM0,
TM1,
…, TMm′-1, TMm′等模式都可以傳播,因而可以傳播的模式總量為
M?m?m??2 (3.1-25a)
(3.1-25b)
作為一粗略的估計,一個多模傳播的光波導中傳播的模式總量為
M?8a?n11?n222對于結構參數a,
n1,
n2,
n3確定的波導,可傳播的模式數近似與工作波長成反比。在工作波長確定的條件下(光通信系統中工作波長一般為0. 85μm, 1.31
μm或1.55μm),傳播模數量主要決定于波導的厚度和芯層襯底折射率差。波導越厚,折射率差越大,則可傳播的模數量就越多。
3.1.8 對稱薄膜波導
如果襯底和敷層由同一種介質構成,從而n2
= n3,則稱這種波導為對稱薄膜波導。由于波導的結構相對于x = 0的平面是對稱的,必然有a3
= a2
= a,因而其TE模和TM模場量表達式中的初相位因子φ
= 0,π/2。所有各模式場量必然對x = 0平面呈偶對稱或奇對稱兩種對稱分布,以TE模的Ey分量為例,其場量表達式分別為
偶對稱分布
E1y?E1coskxxeE2y?j?z?E2e??(x?a)e?j?z????(x?a)e?j?z?E2e|x|????x???
x?????|x|?? (3.1-30a)
奇對稱分布
E1y?E1sinkxxeE2y?j?z?E2e??(x?a)e?j?z???(x?a)e?j?z??E2e??x???
x????? (3.1-30b)
利用x = +a面上的邊界條件,可以得到上面兩種分布所對應的特征方程分別為(見3.1-9式)
偶對稱
tankxa?奇對稱
?cotkxa?(3.1-31)式又可以寫成
?kx (3.1-31a)
(3.1-31b)
?kx第20頁/共21頁
kxa?tan?1?kx?pπ
12)π
?1kxa?tan?kx?(p?
式中p = 0, 1, 2,…,將這兩個表達式合并起來,可得
kxd?2tan?1?kx?mπ (3.1-32)
式中m = 0, 1, 2,…,d = 2a是波導芯層厚度。(3.1-32)實際上就是(3.1-10a)式中取a2
= a3
= a所得的結果。
采用類似的方法可得TM膜的特征方程
1n2?n2k)kxd?2tan?(12x?mπ (3.1-33)
式中m = 0, 1, 2,…。
薄膜波導的特征方程都是超越方程,一般只能用數值方法求解。對稱波導的特征方程可以用圖解法求得近似解。下面以TE模特征方程(3.1-31)式為例,說明求解過程。
222a(n12?n2)。于是可以將(3.1-31)式改寫成 令U?kxa,W??a?,U2?W2?V2?k0UtanU?W
Utan(U?π2)?W
或者
UtanU?(VUtan(U?π22?U2)122)?(V?U2)12
tanU以U為橫軸,W為縱軸作上面兩個方程的圖線。方程左邊為U邊則是以坐標原點為中心,以V和Utan(U方程右?π/2)的曲線,22212?k0a(n12?n2)為半徑的圓。特征方程的解則是左邊的曲線族與右邊的圓的交點,如圖3-6所示。圖3-6表明,波導中可傳播的模數量完全由參數V,也就是圖中的圓的半徑決定。由前面的定義
222222 (3.1-34)
V2?kxa??2a2?U2?W2?k0a(n1?n2)可以看到,V由波導結構參量a,n1,n2和工作波長??2πk0完全決定,它與波的頻率成正比,是個無量綱的量,稱為波導的歸一化頻率。歸一化頻率V越大,由特征方程右邊所作出的圓的半徑就越大,它與左邊的曲線族交點就越多,可以傳播的模式也就越多。
波導的截止參數可以由(3.1-17)式和(3.1--19)式中令n2
= n3直接得到,TEm模和TMm
模的截止波長都為
?c?24an12?n2m (3.1-35)
截止參數也可以從圖3-6中得到,顯然對于某一個TEm模式,它可以傳播的條件是歸一化頻率V必須大于mπ2。否則半徑為V的圓與相應的UtanU或Utan(U?π/2)曲線沒有交點。也就是說,可以將TEm模的截止條件確定為
圖3-6 對稱薄膜波導特征方程的圖解法
Vc?mπ2
(3.1-36)
式中m = 0, 1, 2,…,Vc即為TEm模的歸一化截止頻率。顯然,(3.1-36)與(4.1-35)式是完全等價的。
TEm模和TMm模有相同的截止參數,但其電磁場結構是不相同的。像這樣具有相同截止參數但不同的電磁場結構的模式稱為簡并模,除了TEm模和TMm模簡并以外,對稱波導的另一個特點
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是其主模式TE0模的截止波長?c??,這說明TE0模和TM0模不截止,它們可以以任意低的頻率在波導中傳播,只是當頻率很低時,電磁波能量將不能很好地集中于波導芯層中。對稱波導中的212,所以對稱波導中TE模和TM模次最低階模是TE1模和TM1模,其截止波長?c?4a(n12?n2)00單模傳輸條件是
24an12?n2???? (3.1-37a)
或者用歸一化頻率表示為
0?V?π2 (3.1-37b)
第四章 光纖的模式理論分析
4.1 光纖中的電磁場方程
光纖是圓柱狀的介質光波導,所以采用以光纖中心軸為z軸的圓柱坐標系來定量描述其結構及傳輸特性。在圓柱坐標系中光纖的橫截面結構如圖4-1所示。在圓柱坐標系中,光纖纖芯半徑為a,折射率為n1。包層內半徑為a,外半徑為b,折射率為n2。包層外面的護套對波的傳播不產生影響,所以未畫出。為了改進光纖的傳輸特性,一些新型光纖往往采用多包層結構,即包層由折射率分別為n1,n2,n3,??的多個子層構成。實際使用的光纖纖芯折射率n1往往是漸變的,在圓柱坐標系(r,?,z)中,光纖橫截面內的折射率分布可以寫成
?n1?r?,r?an?r????n2?n1?r?a?,r?a
(4.1-1)
在圓柱坐標系中,電磁波的電場強度E和磁場強度H可以寫成如下三個分矢量之和,即
E?erEr?e?E??ezEz (4.1-2a)
H?erHr?e?H??ezHz
(4.1-2b)
在圓柱坐標系中將橫向拉普拉斯算符展開,可得
1???Er?1?Ez22?kn???r??202r?r??r?r??2
圖4-1 光纖的橫截面及分析光纖所取的坐標系
?2?E2z?0
(4.1-3a)
1???Hr?1?Hz22?kn???r??202r?r??r?r??2??Hz?0 (4.1-3b)
將纖芯折射率n1和包層折射率n2分別代進(4.1-3)式,即可求得纖芯和包層中的縱向場分量Ez和Hz。
4.2 階躍光纖的嚴格解——矢量模解
4.2.1 階躍光纖的電磁場解
(4.2-20)式和(4.2-21)式所表示的電磁波成為光纖中的導波的條件是U和W都是正實數,以保證電磁場量在纖芯中沿半徑方向呈駐波分布,在包層中呈表面波分布。由(5.2-18)式和(4.2-18)式易于看到U和W為正實數的條件是
k0n2???k0n1 (4.2-22)
如果上述條件不滿足,將會由W2?0,包層中的場將成為輻射場,導波也就截止了。因此我們將??k0n2,W?0,U?V作為一個導波模截止的臨界點。
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4.2.2 導波模的特征方程
4.2.3 導波模分類
波導中的一個電磁場模式是指一個滿足電磁場方程和邊界條件的電磁場結構。這樣的一個電磁場結構可以獨立存在于波導中,也可以是一個復雜的電磁場結構的組成部分。如上所述,根據方程(4.2-29)式中m?0和m?0,可以將波導中的導波模式分成TE模、TM模、EH模、HE模等幾大類。
1.TE模和TM模
TE模就是縱向電場Ez?0的電磁場模式。這就要求(4.2-20)式中的常數A=0。從邊界條件(4.2-23b)式可以得到
?mB?顯然??0,1U2?1?U2?1???02W?
?1W2?0,B也不能為零,因為B再為零就沒有電磁場存在了,欲使上式成立就只有m?0了。這就是說只有m?0時TE模才能存在。由(4.2-23a)式或在(4.2-29)式中取m?0,就得到
??UJ0UJ0??U????WK0WK0??W??0 (4.2-30)
這就是TE模式的特征方程。利用貝塞爾函數的遞推公式
??U???J1?U?
J0??W???K1?W?
K0可以將(2-30)式寫成
J1?UUJ0??U??K1?WWK0??W??0 (4.2-31)
這是TE模特征方程的常見形式。
對于TM模,必須Hz?0,也就是(2-20)式中的常數B?0,這同樣導致m?0才能滿足邊界條件。由于B?0,從(4.2-23b)式可以得到
?n2?K1?W????UJ0?U??n1??K0?WJ1?U?2??0 (4.2-32)
?這個方程就是介質波導中TM模的特征方程。對于弱導光纖n2/n1?1,則(4.2-32)式與(4.2-31)式一致。在弱導條件下,(4.2-31)式為TE模和TM模共同的特征方程,也就是(4.2-29)式在m?0時的特例。
m?0,意味著場量不是?的函數,即場分量在光纖中呈軸對稱分布。也就是說,只有場結構呈軸對稱分布的電磁波,才有可能在光纖或介質波導中以TE波或TM波的形式存在。
2.EH模和HE模
如果m?0,場量沿圓周圍方向按cosm?或sinm?函數分布,要使邊界條件得到滿足,則A和都不能為零,即電磁波的縱向場分量Ez?0,Hz?0。也就是說,光纖中的非軸對稱場不可能是單獨的TE場或單獨的TM場。Ez和Hz同時存在的電磁場模式稱為混合模。
m?0時方程(4.2-28)式和(4.2-29)式在同一m值下,有兩組不同的解,對應著兩類不同的模式。在弱導條件下,方程(4.2-29)式右邊取正號時所解得的一組模式稱為EH模,而(4.2-29)式右邊取負號時所解得的一組模式稱為HE模。
根據上面的分類,弱導條件下,光纖中EH模和HE模的特征方程分別為
BEH模
??UJmUJm??U????WKmWKm??W?1??1?m?2??
2UW??
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HE模
??UJmUJm??U????WKmWKm??W?1??1??m?2??
2UW??利用貝塞爾函數的遞推公式,可以將上面兩式中貝塞爾函數及變態貝塞爾函數的導函數用同一階或高一階(或第一階)的函數表示,即
??U??
JmmUm??W??KmKm?W??Km?1?WWJm?U??Jm?1?U???mUmWJm?U??Jm?1?U?
?
???Km?W??Km?1?W將其代入前面的EH模和HE模的特征方程,可以將其化簡為
?Km?1?W???0 (4.2-33)
UJm?U?WKm?W??U?Km?1?W?J HE模
m?1??0 (4.2-34)
UJm?U?WKm?W? EH模
在(4.2-33)式和(4.2-34)式中,如果令m?0,并注意到
J?1?U???J1?U?,K?1?W??K1?W?
則(2-33)式和(2-34)式都可以寫成
J1?UUJ0Jm?1?U??U??K1?WWK0??W??0
這就是弱導條件下的TE模和TM模的特征方程(4.2-31)式。也就是說,在弱導條件下,TE模和TM模可以看成是EH模和HE模的特例。
如果回到精確的特征方程(4.2-28)式,仍然定義式中右端取正號為介質波導的EH模特征方程,取負號為HE模特征方程。則在m?0時,將由EH模特征方程得到TM模特征方程(4.2-32)式,由HE模特征方程得到TE模特征方程(4.2-31)式。因而可以進一步認為,TE模是HE模在軸對稱情形下的特例,而TM模則是EH模在軸對稱情形下的特例。在微波技術中又將TM模稱為E模,TE模稱為H模,這是因為前者在縱向有電場E的分量,后者在縱向有磁場H的分量。從以上分析可以看到,將混和模區分為EH模和HE模的根據,即將與H模相聯系的混和模用HE模表示,將與E模相聯系的混和模用EH模表示。
有關光纖中的TE模,TM模和混合模,如果用射線理論和本地平面波理論解釋.則TE模和TM模由光纖中傳播的子午光線形成;而混合模HE模和EH模則由偏斜光線形成。進一步,由水平偏振的子午線形成TE模,而垂直偏振的子午光線則形成TM模。這是因為子午光線的路徑是平面折線,它們在光纖纖芯與包層的界面上反射時,橫向場分量不改變方向,水平偏振波的電場總在與Z軸垂直的方向上,而垂直偏振波的磁場總在與Z軸垂直的方向上,因而子午光線形成了光纖中的TE模和TM模。這種情形如圖所示。偏斜光線的路徑是空間折線,纖芯包層分界面上的不同反射點的法線方向不一致,因而每一次反射不管光線的初始偏振狀態如何,都有可能產生Z方向的電場和磁場。因而偏斜光線只能形成光纖中的混合模。
4.2.4 導波模的截止參數和單模傳輸條件
一個導波模式場的橫向分布特點用m、U、W確定,縱向傳播特性則由?確定。參數m確定場量沿?角方向場的分布規律,U確定纖芯內場沿半徑方向的分布規律,W則決定場量在包層中沿半徑方向衰減的快慢程度。m、U、W之間的關系由(4.2-18)式給出,只要由特征方程解出其中的一個,其他兩個便可由(4.2-28)式求出,導波模的特性也就完全確定了。
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一個導波模沿z方向無衰減傳播(忽略材料自身的吸收損耗)的條件是m、W都是正實數。如前所述,W為正實數時,包層中的電磁場沿半徑方向幾乎是按指數規律快速衰減,W越大,衰減越快,電磁能量就越集中在纖芯中。反之W越小,就有越多的電磁能量向包層中彌散。如果2W?0,則包層中的場將用漢克爾函數描述,成為沿徑向輻射的模式,這就是介質天線的情形。如果W2?0,則恰好成為一個模式是導波模還是輻射模的臨界點。我們將W?0條件下求得的纖芯內的歸一化徑向相位常數U記為Uc,此時的歸一化頻率則記為Vc。Uc、Vc即為導波的截止參數。顯然在截止點有
或
Vc?Uc (4.2-35)
下面從各類模式的特征方程出發,分別討論它們的截止特性。
模和TE模
TM模和TE模的特征方程為
Vc?Uc?Wc?Uc2222J1?UUJ??U?0??K1?WWK??W?0 (4.2-36)
在W?0時各階第二類變態貝塞爾函數都是發散的,因而難以從(2-36)式直接得到TM模和TE模的截止參數。從K1?W?和K0?W?在W?0時的漸近式出發,可以得到有意義的結果。
由(4.2-14)式,在W?0時有
K0?W??ln
K1?W??J1?Uc?UcJ0?Uc?1W2W??
??
1W2于是在截止狀態下,特征方程(4.2-36)成為
??K1?WWK??W?0?ln2W??
欲使上式成立,則應有
UcJ0?Uc??0
這有兩種可能,即Uc?0和J0?Uc??0。但Uc?0時,J1?Uc??J1?Uc?/UcJ0?Uc??12Uc2,J0?Uc??1,,不滿足上面的關系,因而TM模和TE模在截止時的特征方程應為
J0?Uc??0 (4.2-37)
上式說明,截止狀態時的歸一化截止頻率Uc及Vc是零階貝塞爾函數的零點,即
Uc?Vc?u0n
n?1,2,3,? (4.2-38)
式中的u0n是零階貝塞爾函數的第n個零點。各階貝塞爾函數都有無限多個零點或根。零階貝塞爾函數的頭幾個根為
u0n=2.405,5.520,8.654。?
以上每一個u0n值都對應這一個TM模和一個TE模,分別記為TE0n模和TM模和TM0n模的歸一化截止頻率為u0n。
0n模。這就是說,TE0n 電磁波在光纖中傳播時,如果工作波長?,光纖的結構參數a、n1、n2都是確定的,則其歸一化頻率V?k0n1a2?是一個完全確定的數。如果V大于某個模式的歸一化截止頻率Vc,則必有2W?0,該模式可以在光纖中傳播。反之,如果V小于某個模式的歸一化截止頻率Vc,則W2?0,該模式截止,成為輻射模。也就是說,光纖中任意一個模式的傳播條件是
V?Vc?序號相同的TE0n模和TM
0n2??a?n?n211222? (4.2-39)
0n模,有相同的截止參數,我們稱TE0n模和TM模為一對簡并模。在所第25頁/共26頁
有TE0n模和TM最長的,為
0n模中,TE01模和TM01模的歸一化截止頻率是最低的,為2.405,其截止波長?c是22
?c?TE01,TM??012?a2.405?n21?n?1222?2.613an1?n2 (4.2-40)
例如,某光纖a?4.0?m,??0.003,纖芯折射率n1?1.48,則TE01模和TM這就是說,如果此光纖中傳播的光波長??1.31?m,則TE01模和TM?c?1.20?m。如果工作波長為0.85?m,則TE01模和TM2.EH模
EH模的特征方程為
010101模的截止波長模都不能傳播。模可以傳播。
??UJm?U?Jm?1?U?Km?1?WWKm?1?
??Wm將W?0時Km?W?的漸近式(2-14d)式代入,可以得到上面的特征方程的右端為
?2??m!??W??2mW2?2?W?m?1?!???W?m????
由此可以得到EH模在截止狀態時,其特征方程應為
Jm?1?Uc?UcJm?Uc???
也就是
UcJm?Uc??0
其中Uc?0應舍棄,推導同上面章節,所以在截止狀態,EH模的特征方程只能為
Jm?Uc??0 (4.2-41)
截止參數Uc或歸一化截止頻率Vc是m階貝塞爾函數的根,即
m?1,2,3,?
n?1,2,3,? (4.2-42)
式中m是貝塞爾函數的階數,n是m階貝塞爾函數根的序數。由m階貝塞爾函數的第n個根所確定的EH模稱為EHmn模。
幾個低階貝塞爾函數Jm?U?的頭幾個根列在表4.1中。
Uc?Vc?umn表4.1
Jm?U?的第n個根umm
m
0 1 2
n
1
2
3
4
5
2.40483
5.52008
8.65373
11.79153
14.93092
3.83171
7.01559
10.17347
13.32369
16.47063
5.13562
8.41724
11.61984
14.79595
17.95982
3
6.38016
9.76102
13.01520
16.22347
19.40942
在EHmn模序列中,EH11
模的歸一化頻率是最小的,其值為
Uc?Vc?3.832
EH11模的截止波長在EHmn模序列中是最長的,其值為
?c?
2?a3.832n1?n2?1.640an1?n22222 (4.2-43)
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3.HE模
HE模的特征方程為
??UJm?U?Jm?1?U?Km?1?WWK?
?W?mW?0時特征方程的右端的漸近特性應分為m?1和m?2兩種情形討論。
當m?1時,將K0?W?和Km?W?的漸近式(4.2-14c)式和(4.2-14d)式代入特征方程右端,得到
?W?0????UJ1?U?J0?Uln2/W1?2?W??2?W??ln2W?????W?0
這就是說m?1時,HE模在截止狀態下的特征方程為
UcJ1?Uc??0 (4.2-44)
方程(4.2-44)式的解為Uc?0和一階貝塞爾函數的根U1n。由于U?0時,J0?U??1,所以Uc?0也是特征方程在W?0時的一個解。以0和U1n為歸一化截止頻率的HE模,記為HE1n。為了將Vc?0的模作為第一個HE1n模即HE11模,HE1n模的截止參數則為
Uc?Vc?0,u1,n?1?0,3.832,7.016 (4.2-45)
比較(4.2-42)式和(4.2-45)式,可以發現HE1,n+1模和HE1n模具有相同的歸一化截止頻率,所以HE1,n+1模和HE1n模是簡并模。
需要特別指出的是HE11模,其歸一化截止頻率
Uc?Vc?0
截止波長
?c?HE11??? (4.2-46)
這是一個重要的結論,也就是說HE11模不截止,它可以以任意低的頻率在光纖中傳播,是介質波導和光纖的主模。HE11模的截止波長?c?HE11???,這個結論僅是一個理想的極限。如果工作波長過長,則HE11模的能量將向包層中轉移,傳輸損耗將加大,因而太低頻率的波以HE11模傳輸是十分困難的。
如果m?2,將Km?W?的漸近式(4.2-14d)式代入特征方程右邊,可得到
Km?1?WWK?W?01????
?W?2?m?1?m 而特征方程左邊則可用貝塞爾函數的遞推公式的降價形式
2(m?1)Jm?1?U??UJm?2?U??UJm?U?
將其簡化為
??UJm?U?Jm?1?U??2(m?1)Jm?U?Jm?2?U12(m?1)?12(m?1)
由此得到HE模(m?2)在截止狀態時的特征方程為
Jm?2?Uc??0 (4.2-47)
也就是說,對m?2的HE模,其歸一化截止頻率為
Uc?Vc?um?2,n (4.2-48)
式中m?2、3、4?,n=1、2、3。與(4.2-3)式比較,可以看到HE2n模與TE0n模、TM0n模具有相同的截止參數,它們是簡并模。
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表4.2. 較低階的模式組及其歸一化截止頻率
模 式 組
HE11
TE01,TM01,HE21
EH11,HE31,HE12
EH21,HE41
TE02,TM02,HE22
EH31,HE51
EH12,HE32,HE13
EH41,HE61
V0
0
2.405
3.832
5.136
5.520
6.380
7.016
7.588
模 式 組
2×1=2
1+1+1×2=4
2×1+2×1+2×1=6
2×1+2×1=4
1×1+1×1+2×1=4
2×1+2×1=4
2×1+2×1+2×1=6
2×1+2×1=4
大題從表4.2中可以看到,光纖中的主模HE11模,其歸一化截止頻率為零。次最低階模為TE01模、TM01模和HE21模,其歸一化截止頻率為2.405。如果適當設計光纖,度選擇工作波長,使得歸一化工作頻率
0?V?2.045
(4.2-49)
則TE01、TM01、HE21模及所有的高階模都被截止,只有HE11模可以傳播。這就是光纖中所謂單模傳播條件。由于歸一化頻率V?k0a?n?n2122?12?k0n1a2Δ,所以可以將單模傳播條件表示為
??2.613n1a2Δ??c?TE01,TM01? (4.2-50)
4.3 階躍光纖中的線偏振模
如前所述,通信中使用的光纖都是所謂弱導光纖。纖芯和包層的相對折射率差總滿足如下條件:
??n1?n22n1222?n1?n2n1?n1?n2n2??1 (4.3-1)
在弱導條件下,光纖傳播的導波盡管仍可以區分為TE0n、TM0n、EHmn、HEmn等各類模式,但可以證明所有這些模式的縱向場分量比其橫向場分量要小得多。也就是說,弱導光纖中傳播的電磁波其橫向電磁場占主導地位,而且一經激勵起來在傳播過程中其偏振狀態保持不變。這種狀態可以用本地平面波的反射機理得到解釋。由于???1,只有幾乎與光纖軸平行的光線才能滿足邊界面上的全反射條件。這種情形下的平面波,不管是垂直偏振的,還是水平偏振的,其電場和磁場幾乎與z軸垂直,無論是子午射線,還是偏振射線,經反射盡管有可能產生電磁場的z向分量,但z向分量總是很小的。由于沿傳播方向的電場及磁場分量與橫向分量相比極小,但又不等于零,所以可以認為這種形態的波接近于TEM波,可以稱為準TEM波。這種波的橫向電場和橫向磁場之比近似為介質的波阻抗,即
EtHt?Zc??0??Z0n (4.3-2)
式中腳標“t”表示橫向分量,Z0??0/?0是自由空間的波阻抗,是個物理常數,約等于377?。由于波在傳播過程中保持其偏振狀態不變,所以總可以選取一個直角坐標系,使場矢量與坐標軸方向一致,這樣一來,可以使問題大為簡化。由于電磁波在傳播過程始終保持場矢量取向不變,則這種電磁波稱為線偏振波,或者稱為線偏振模,又稱LP模。
TE0n、TM0n和ME2n模則與LP1n模一樣。一般情形下HEm+1,n模、EHm-1,n模與LPmn模(m?2)的特征參數一樣。考查矢量模的場分量,可以發現HEmn模和EHmn模都是圓偏振波,而且旋向相反、我們知道兩個幅度相等旋向相反,以相同的相速度同向傳播的同頻率圓偏振波合成一個線偏振波。因而可以在矢量模與線偏振模之間建立如下的對應關系:
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